Продукція > SIR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-023 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT REAR RELEASE, | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-038 | Smiths Interconnect | REMOVAL TOOL, SPECIAL #8 TWINAX/QUADRAX | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-22ST3F | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-22UT3F | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-312STT32 | ROHM | DIP-2 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-312STT32M | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-312STT32N | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-312STT32P | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters FLAT SIDE IR EMITTER | на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3F Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 100mW Po; 18deg | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 Packaging: Bulk Package / Case: T-1 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Viewing Angle: 36° Current - DC Forward (If) (Max): 75mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FL Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FM Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FN Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-320ST3FP | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FP Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FK | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-33ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3F | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T-1 | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR-381SB | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR-381SB3F | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR-381SB3FX1 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3HL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-481ST3HM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-48IT3(P) | на замовлення 4574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters CLEAR REMOTE IR EMIT DIRECT MOUNTING TYP | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM | 04+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.38V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8.2mW/sr @ 50mA Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM | 04+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH OUTPUT | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FM | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 11mW Po; 15deg | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-563ST3FX | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR-563STT32Z1P | Rohm Semiconductor | Description: SIR-563STT32Z1P Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-568ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH SPEED | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V Viewing Angle: 26° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 18mW/sr @ 50mA Part Status: Not For New Designs | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFQ | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFR | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFS | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED FOR REMOTE CONTROLLER | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Active | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR-59SSTA47 | ROHM | 04+ | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-935 | ROHM | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-S4-105A | GOODSKY | ZIP-4 | на замовлення 334 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR-S4-105AAP | на замовлення 381 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 3 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 5 Number of Rows: 1 | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 5 Number of Rows: 1 | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec | Conn Spring Loaded Connector SKT 5 POS 2.54mm Solder RA SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 7POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Contacts: 7 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec | SIR1-10-L-S-A-K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-FR | Samtec | SIR1-10-L-S-FR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | SIR1-10-L-S-K-FR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 38 шт: термін постачання 44-53 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-S-S-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 15POS R/A SMD Packaging: Bulk Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec | .100 Inch Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | ECE POWER RIGHT ANGLE ASSEMBLY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: 0 Rastermaß: 0 Anzahl der Kontakte: 0 Kontaktmaterial: 0 Anzahl der Reihen: 0 Federbelasteter Steckverbinder: 0 Steckverbindermontage: 0 Produktpalette: 0 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | на замовлення 26 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 15 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | на замовлення 24144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 81A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 81A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay | N-Channel 100 V MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 79A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 79A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | на замовлення 15419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 100 V | на замовлення 22436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 81A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 81A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY | SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V | на замовлення 10533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | на замовлення 46561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 10314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 14318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | на замовлення 6804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 10314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 14693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 4mW/sr Rectangular Right Angle 2-Pin Chip LED T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm | на замовлення 24814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm | на замовлення 24814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | на замовлення 14471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 106A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 106A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | на замовлення 12554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 76389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 50°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 30655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE | на замовлення 5958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | на замовлення 12323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 17558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -65.7A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 5162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 4174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -65.7A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 5837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V | на замовлення 11305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR15-21C | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | на замовлення 11984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 16100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164 | VISHAY | 09+ | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm | на замовлення 3225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V | на замовлення 4772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Gate charge: 123nC Technology: TrenchFET® | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | на замовлення 4516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Gate charge: 123nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR164DY-T1-GE3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | на замовлення 14977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8 | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 28123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 68189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 12957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 23369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V Viewing Angle: 150° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 65mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 95A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 95A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | на замовлення 5135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | на замовлення 24625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 44nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR172ADP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 44nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V | на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | на замовлення 4152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS | на замовлення 8418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 430 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V | на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CHANNEL (D-S) MOS | на замовлення 8515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 137A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83.3W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 137A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83.3W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Power dissipation: 83.3W Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 150A Gate charge: 87nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 17983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | на замовлення 5934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Power dissipation: 83.3W Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 150A Gate charge: 87nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 69.4W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 17930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 99115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 117A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 17930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 117A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 23343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm | на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 340159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm | на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 6048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 18131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 6048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 11093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 21256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | на замовлення 6903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80.3A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) | на замовлення 49020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80.3A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 57 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6 Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 23796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY | SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V | на замовлення 4437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR19-21C | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin Mini-SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | EVERLIGH | 2010+ LED | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 18462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR19-315 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 870NM 70MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 870nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V Viewing Angle: 140° Current - DC Forward (If) (Max): 70mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight Electronics | Infrared Emitter 870nm 1.3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1B6B4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR1B6B4 | Littelfuse | Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR1C20B6 | Littelfuse | Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR2 | N/A | 09+ SOP8 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR2 | SIRCOMM | SOP-8 | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR2 | N/A | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR2 | SIRCOMM | 01+ SOP | на замовлення 169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR204-A | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED Lamp | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2167 | на замовлення 12060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR22224VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 10A DPST-NO/DPST-NC(46.4mm 16mm 30.7mm) THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR222P-12VDC | ELESTA relays | Power Relay 12VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR222P-24VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR222P48VDC | ELESTA relays | Power Relay 48VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR234 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR234 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR25-15-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Propane Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR25-15-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2A20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR2A20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR2B20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR2B20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse Inc. | Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse | Solid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR300B | на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR312 12VDC SEN | ELESTA relays | PCB Relay With Forcibly Guided Contacts | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR312 24VDC SEN | ELESTA relays | SIR312-24VDC SEN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR31224VDC | ELESTA relays | PCB Power Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR3123 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR312P-24VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR312P110VDC | ELESTA relays | Power Relay 110VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR314M200S043 | NextGen Components | Description: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 314.2 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S041 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S042 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M000S043 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M050S042 | NextGen Components | Description: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.05 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR315M500S042 | NextGen Components | Description: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.5 MHz | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR318M000S041 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR318M000S042 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR323-5 | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 400mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR323-5 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 35° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR332 12VDC SEN | ELESTA relays | SIR332-12VDC SEN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR332 24VDC SEN | ELESTA relays | SIR332-24VDC SEN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR33224VDC | ELESTA relays | PCB Relay with Forcibly Guided Contacts | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333-A | EVERLIGHT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR333-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333-A | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 900mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333-A/TR1(R) | Everlight Electronics | SIR333-A/TR1(R) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H0 | Everlight Electronics | SIR333/H0 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H19-R11 | Everlight Electronics | LED Uni-Color | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight Electronics | 5mm Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Viewing Angle: 15° Current - DC Forward (If) (Max): 50mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight | Infrared Emitters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11(S7440) | Everlight Electronics | SIR333/H19/F51-R11(S7440) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight | Infrared Emitters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 920mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR341STA49 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR341STA9 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR36150 | Brady Corporation | Description: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR383 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics CO., LTD | Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA Part Status: Active | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics | Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR3850A | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm | на замовлення 9135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Verlustleistung: 39 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025 Qualifikation: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 12808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm | на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm | на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | на замовлення 13199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 153nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 120505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 153nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | на замовлення 28007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR408DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR408DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR408DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 5866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR414DP | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 53W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 2491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 53W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 69 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 69 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 14820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Verlustleistung: 69 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR418DP-T1-E3 | VISHAY | QFN 10+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 39W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | на замовлення 22610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 39W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR422 21VDC Код товару: 128096 | Реле | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SIR42224VDC | ELESTA relays | Relays with forcibly guided contact | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SiR422DP-T1-E3 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm | на замовлення 63220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V | на замовлення 51660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 Код товару: 101557 | Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 30341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 70678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 31nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | на замовлення 53898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 31nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA12DP-T1-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | на замовлення 2122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR433M220S042 | NextGen Components | Description: 433.22MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.22 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M420S042 | NextGen Components | Description: 433.42MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.42 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S041 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S042 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S043 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-100KHz 4P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M920S046 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-30KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±30kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR433M970S041 | NextGen Components | Description: 433.97MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.97 MHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 40A 50W | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V 60A 83W | на замовлення 5769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 9 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 7772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | на замовлення 8653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm | на замовлення 3281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4411DP-T1-GE3 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR44224VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 10A 4PST-NO/4PST-NC(85.5x20x32)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460 | VISHAY | 09+ | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | на замовлення 5909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 60-V MSFT | на замовлення 14200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | на замовлення 6006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 31.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 31.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | на замовлення 10423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | на замовлення 48540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 Код товару: 100038 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SIR462DP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-E3 | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 33148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 30365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR462DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 41.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | 06NOPB | на замовлення 4299 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 5435 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR462DPR462 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR464 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | VISHAY | 08+ DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | на замовлення 3937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR464DPR464 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR466DP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 54W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 10789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 54W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 20764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | 1041+ QFN-8 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm | на замовлення 3645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-E3 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 22.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | VISHAY QFN 12+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 13796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 49548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | на замовлення 8457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 6666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472DP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | на замовлення 1829 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 3.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR472DP-TI-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474 | VISHAY | 09+ | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR474DP | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | VISHAY | SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 20A 29.8W | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 Код товару: 100039 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR474DPR474 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 17.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR492DP | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR494 | EVERLIGHT | 04+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V | на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SiR496DP-T1-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 25.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SiR500DP | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 350.8A On-state resistance: 0.68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 500A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) | на замовлення 40075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 350.8A On-state resistance: 0.68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 500A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | на замовлення 7856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR505ST47 | ROHM | 04+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP | Vishay | SIR5102DP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) | на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 27A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V | на замовлення 5843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5108DP | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 547-556 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | на замовлення 12368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) | на замовлення 16210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 17122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 17122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V | на замовлення 5213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512 60VDC SP | ELESTA relays | Relays with forcibly guided contacts | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR51224VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 10A 5PST-NO/SPST-NC(58.9x16x30.7)mm THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR512DP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | на замовлення 6301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 20.8A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V | на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63.7A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 71.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100volts 63.7amp | на замовлення 10100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63.7A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 71.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.8A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5308-0.3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR5308-0.3W | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR5308-0.5 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR5308-1W | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR532 60VDC SP | ELESTA relays | Relays with forcibly guided contacts | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR53224VDC | ELESTA relays | H301385 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR552-150VDC | ELESTA relays | Relay with forcibly guided contacts | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR55212VDC | ELESTA relays | PCB Relay 12V with Forcibly Guided Contact | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR55224VDC | ELESTA relays | Power Relay 24VDC 10A 5PST-NO/5PST-NC(85.5mm 20mm 32mm) THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR55248VDC | ELESTA relays | SIR552-48VDC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 m @ 10V, 12 m @ 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V | на замовлення 8915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR563ST3FX | ROHM | 04+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR56SB3 | на замовлення 2417 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR56SB3-Rohm (инфракрасный светодиод 5мм) Код товару: 14584 | Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні Розмір: 5 mm | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| SIR56SB3F | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR56ST3 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 18000 шт: термін постачання 552-561 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR5708DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) | на замовлення 5493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70.2A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70.2A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | на замовлення 1862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7.35 mohm a. 10V 8.3 mohm a. 7.5V | на замовлення 11975 шт: термін постачання 626-635 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) | на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 116 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 92.5 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V | на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 116 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 92.5 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 80-V MSFT | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 80-V MSFT | на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V | на замовлення 5320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR5850A | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 80-V MSFT | на замовлення 20549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 80-V MSFT | на замовлення 4468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | на замовлення 29328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 3887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | на замовлення 29328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 44.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V | на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 44.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 11489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 Dauer-Drainstrom Id: 208 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 208A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 | на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 208A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 167nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR608DP-T1-RE3 | Vishay | N-Channel 45 V (D-S) Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.4A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35.4A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.4A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35.4A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній |