Продукція > DTD > DTD113ZSTP

DTD113ZSTP


Виробник:
DTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTD113ZSTP

Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції DTD113ZSTP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTD113ZSTP Виробник : Rohm Semiconductor Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній