Продукція > LSI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
LSI-L5A9898
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI00197LSI4-Port Internal 6Gb/s SAS/SATA PCIe 2.0 512MB 3.3V/12V
товар відсутній
LSI010616-001Q
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI0664C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI0724
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI100BPLCC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI100CICSPLCC68
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016-60LJ07+
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016-60LJ
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016-60LJI07+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016-80LJI07+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI101660LJLATTICE97+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI101680LJIN/A04+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI101680LTLATTICE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016E100L44LATTICE
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016E100LT44Lattice03+ QFP
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1016E100LT44LATTICE
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1024-60LJ107+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1032E/70LT107+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI104880LQLATTIC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1048C507080LATTIC
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1048E-70LQ01+ QFP
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1048E125LQLATTIC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI11240LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI1200FNMOTPLCC44
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI131340BT-08-1.05Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Power: 0.7W
Maximum power: 1W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 13x13x4.1mm
Operating temperature: -30...85°C
Resonant frequency: 1.05kHz
Sound output tolerance: ±3dB
Height: 4.1mm
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+144.33 грн
10+ 133.12 грн
11+ 88.24 грн
30+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSI131340BT-08-1.05Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Power: 0.7W
Maximum power: 1W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 13x13x4.1mm
Operating temperature: -30...85°C
Resonant frequency: 1.05kHz
Sound output tolerance: ±3dB
Height: 4.1mm
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.27 грн
10+ 106.83 грн
11+ 73.53 грн
30+ 69.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
LSI151540BT-08-0.8Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω
Operating temperature: -40...105°C
Power: 0.8W
Body dimensions: 15x15x4mm
Sound level: 92dB
Maximum power: 1W
Resonant frequency: 800Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Sound output tolerance: ±3dB
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Impedance: 8Ω
Height: 4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 566 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+148.81 грн
10+ 137.45 грн
12+ 86.57 грн
31+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSI151540BT-08-0.8Cre-sound ElectronicsCategory: Speakers
Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω
Operating temperature: -40...105°C
Power: 0.8W
Body dimensions: 15x15x4mm
Sound level: 92dB
Maximum power: 1W
Resonant frequency: 800Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Sound output tolerance: ±3dB
Resonant frequency tolerance: ±20Hz
Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar
Impedance: 8Ω
Height: 4mm
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.01 грн
10+ 110.3 грн
12+ 72.14 грн
31+ 68.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
LSI153C80S-44QFPLSIQFP
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI16X16-N1LSI2001 QFP
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI176TISOP-8
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2032LSI
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2032-80LJLATTICE
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2032A-80LJ4407+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2032E110LJ4407+
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2032E110LTNLATTICECategory: Programmable circuits
Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k
Type of integrated circuit: CPLD
Supply voltage: 5V DC
Mounting: SMD
Case: TQFP44
Number of inputs/outputs: 32
DC supply current: 40mA
Number of gates: 1k
Frequency: 111MHz
Delay time: 10ns
товар відсутній
LSI2032E110LTNLATTICECategory: Programmable circuits
Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k
Type of integrated circuit: CPLD
Supply voltage: 5V DC
Mounting: SMD
Case: TQFP44
Number of inputs/outputs: 32
DC supply current: 40mA
Number of gates: 1k
Frequency: 111MHz
Delay time: 10ns
кількість в упаковці: 160 шт
товар відсутній
LSI2032VE-110LT44LATTICE2000+
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2041LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE/100LT10007+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE/135LT10007+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE100LT100LATTICE02+ TQFP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE135LT100LATTICE
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE60LTLATTICE
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE60LT44Lattice03+ QFP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2064VE60LT44LATTICE
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2096VE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI212880LQLATTICE99+ QFP
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2128A80LQ160LATTICE99+ QFP
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI2128VE100LB20807+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI4012-A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI401Z-A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI402ZXLSIBGA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI402ZXLSILOGIC0347+ BGA
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI402ZXLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI402ZX200MHZ
на замовлення 3589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5128VE/100LT128-8007+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5256VA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5256VE-100LT128-8007+
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5384VA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5384VELATTICA07+
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CLSI06+ QFP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C040LSI
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C040LSIQFP
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C040LSI03+ QFP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000BLSI03+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000B1LSILOGIC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000B1GLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000RLSI03+ BGA
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000RLSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1000RB1LSILOGIC2003
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010LSI00+ BGA
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-33LSI00+ BGA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66LSIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66LSI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66LSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66 B1LSIBGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66B1LSI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66B1LSILOGIC2000
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66B1LSI LOGIC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010-66BILSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C101066LSI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C101066B1LSI
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSILOGIC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSIBGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSIQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSILOGIC09+PB
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSI
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1010RLSIBGA456
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020LSI
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020LSIBGA456
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020 B2LSIBGA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020 B2LSIBGA
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020 B2LSI04+
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020(CO)LSI05+
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020(CO)LSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020-B2LSI
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020-B2LSI2002
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020-C0LSI
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020-COBGA
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020/62047A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI CONTROLLER 53C1020
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
LSI53C1020/62052A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI 53C1020
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
LSI53C1020ALSI05+ BGA-384
на замовлення 4576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020ALSI LOGIC0620
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020ALSI05+
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020ALSIBGA
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020A A1LSIQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020A-CO
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020A384BGA-62072ALSI09+
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020AA1
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020BLSI03+ BGA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020B2LSILOGIG2004
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020B2LSIBGA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020B2LSI09+
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020C0LSI
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020COLSI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1020COLSIBGA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030LSI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030LSI06+ EPBGA456
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030LSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030intech03+ BGA
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030LSI0450
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030LSIBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030 B2LSI
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030 C0LSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030 COLSIBGA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030 COLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030(CO)LSI05+
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030(CO)LSI
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030(CO)LSI05+ BGA-456
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030-B2LSI
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030-B2LSI02+ BGA
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030-COLSIBGA
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030/62050A1LSI LogicBGA 456/LSI53C1030 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 SCSI CONT 53C1030
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
LSI53C1030BLSI03+ BGA
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030B2LSI
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030B2LSIBGA
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030B2LSIBGA
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030B2LSILOGIC2008
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030CLSI03+ BGA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030C0LSI
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030C0LSIBGA
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030COLSI
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030TLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030T-A0LSI
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030T-A2INTELBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030T-A2LSI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030T-C0LSI
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1030T-E1-A2/62070A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1030T REV A.2 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 TARGET 62070
кількість в упаковці: 24 шт
товар відсутній
LSI53C120LSILOGIC2000
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C120B1LSILOGIC
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C120B1LSILOGIC2000
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C140LSI
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C140LSI03+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C141CONEXANTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C1510
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180N/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180LSILOGIC0052+
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180 C1LSIBGA
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180-C1
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180C1LSIBGA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180C1N/A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180C1YLSI2004
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C180YLSI
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C320/62030D1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62074A1
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSI53C320/62074A1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 (LEAD-FREE) U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62030D1
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSI53C710LSI99+ QFP
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C720LSIQFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C770LFPLSIQFP
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C80S
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C810AE
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C825ALSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875LSI0424+
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875LSI0424+ PQFP-160
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875ALSI03+ QFP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875JLSI2001
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875JLSI04+ MQFP208
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875JLSI04+
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875JBELSIBGA169
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C875YLSILOGIC2001
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C876LSIQFP160
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C876LSIBGA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C876LSI00+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C876-208QFPLSILOGIC01+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C885LSI
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C885LSIQFP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C885LSI02+ QFP
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895LSI
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895LSIQFP
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895-208QFPLSILOGIC5
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895A BOQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895A-208QFP
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C895A208QFPLSI
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSIOGIC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSI0617+
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSIBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSIOGIC03+ BGA
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSI00+ BGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896LSI09+
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53C896-328BGALSILOGIC
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CF92ALSIQFP
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CF92ALSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CF92ASYMBIOS97+ QFP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CF96-2LSIQFP
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CF96-2LSI99+
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI53CU98LSA0631LSI0515+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI5512VA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI62N02LSI LOGIC87+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI62N02LSI LOGIC87+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64005MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64005MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64108MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64108MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64363C1
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64364A1
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64712A0LSI9904+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI64733MAXIMQFP
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI65073B1-004(L64060C)LSIQFP176
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI65181A1LSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI68042A1LSILOGIG2002
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI69207A1QFP
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI7240
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI80225N/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI80225LSIPLCC44
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI8101D
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSI901PCLSI
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIC1MO120E0040LittelfuseLSIC1MO120E0040
товар відсутній
LSIC1MO120E0080LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0080IXYSMOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1509.56 грн
10+ 1321.82 грн
25+ 1072.82 грн
50+ 1039.53 грн
100+ 1005.56 грн
250+ 991.58 грн
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
LSIC1MO120E0080LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
товар відсутній
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0120LittelfuseMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.4 грн
10+ 935.07 грн
25+ 804.45 грн
50+ 787.14 грн
100+ 734.53 грн
250+ 725.87 грн
450+ 712.55 грн
LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
товар відсутній
LSIC1MO120E0120LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+838.58 грн
15+ 813.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
LSIC1MO120E0120Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.49 грн
10+ 897.21 грн
100+ 775.99 грн
500+ 659.96 грн
LSIC1MO120E0120LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.68 грн
10+ 755.2 грн
LSIC1MO120E0120IXYSMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1193.36 грн
10+ 1036.16 грн
25+ 879.03 грн
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0160Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.53 грн
10+ 628.41 грн
100+ 543.5 грн
500+ 462.24 грн
1000+ 423.98 грн
LSIC1MO120E0160LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0160LittelfuseMOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.38 грн
10+ 755.1 грн
25+ 646.62 грн
50+ 626.65 грн
100+ 567.38 грн
250+ 557.39 грн
450+ 552.06 грн
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0160LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120G0025LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 265nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120G0025LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 25MO TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0025LittelfuseSiC MOSFET 1200V 25mO TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0025LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 265nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120G0025Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 800 V
товар відсутній
LSIC1MO120G0040LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 130A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120G0040Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
товар відсутній
LSIC1MO120G0040LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 130A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120G0040LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2239.1 грн
10+ 1961.28 грн
100+ 1657.51 грн
250+ 1624.22 грн
450+ 1585.59 грн
900+ 1461.73 грн
LSIC1MO120G0040LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.19 грн
5+ 1958 грн
10+ 1878.81 грн
50+ 1617.67 грн
100+ 1375.41 грн
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120G0080LittelfuseMOSFET 1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC1MO120G0080LittelfuseSiC MOSFET 1200V 80mO TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0080Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC1MO120G0120LittelfuseSiC MOSFET 1200V 120mO TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0120Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0120LittelfuseMOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC1MO120G0160Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
товар відсутній
LSIC1MO120G0160LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 160MO
товар відсутній
LSIC1MO120G0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120T0080-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120T0080-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120T0120-TULittelfuse1200V/120mohm SiC MOSFET TO-263-7L
товар відсутній
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 80nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120T0160-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120T0160-TULittelfuse1200V/160mohm SiC MOSFET TO-263-7L
товар відсутній
LSIC1MO120T0160-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170E0750LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.26 грн
10+ 487.83 грн
25+ 402.89 грн
100+ 353.61 грн
250+ 341.62 грн
450+ 310.33 грн
900+ 279.03 грн
LSIC1MO170E0750Littelfuse1700 V 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170E0750LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.71 грн
30+ 285.82 грн
120+ 264.85 грн
LSIC1MO170E0750LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO170E1000LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170E1000LITTELFUSETrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+508.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC1MO170E1000Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
товар відсутній
LSIC1MO170E1000LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
LSIC1MO170E1000LittelfuseMOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC1MO170H0750-TRLittelfusePower MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170T0750LittelfuseMOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.1 грн
10+ 605.77 грн
50+ 498.79 грн
100+ 440.18 грн
500+ 388.91 грн
1000+ 348.28 грн
2500+ 332.3 грн
LSIC1MO170T0750LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
LSIC1MO170T0750LITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 11nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
LSIC1MO170T0750LITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 11nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 11A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 400 шт
товар відсутній
LSIC1MO170T0750IXYSMOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.1 грн
10+ 605.77 грн
50+ 498.79 грн
100+ 440.18 грн
500+ 388.91 грн
1000+ 348.28 грн
2500+ 332.3 грн
LSIC1MO170T0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.59 грн
10+ 605.72 грн
100+ 501.5 грн
500+ 409.83 грн
1000+ 356.95 грн
LSIC2SD065A06ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065A06ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065A06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD065A06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD065A06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.8 грн
10+ 199.78 грн
100+ 161.62 грн
500+ 134.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD065A08ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A08A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 29 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD065A08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.87 грн
10+ 247.92 грн
100+ 200.59 грн
500+ 167.33 грн
1000+ 143.28 грн
LSIC2SD065A08ALittelfuse650V/8A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065A08ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065A08ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065A08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065A10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.18 грн
10+ 376.02 грн
100+ 272.37 грн
250+ 261.05 грн
500+ 240.4 грн
1000+ 211.77 грн
2000+ 205.77 грн
LSIC2SD065A10ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A10A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 30 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.85 грн
10+ 304.05 грн
100+ 253.25 грн
500+ 207.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
LSIC2SD065A10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.24 грн
10+ 331.09 грн
100+ 275.91 грн
500+ 228.47 грн
1000+ 205.62 грн
LSIC2SD065A10ALittelfuse650V/10A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065A16ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065A16ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065A16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD065A16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.75 грн
10+ 436.67 грн
100+ 363.9 грн
500+ 301.33 грн
LSIC2SD065A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 63 nC, TO-220
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650
Kapazitive Gesamtladung: 63
Anzahl der Pins: 2 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 45
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
LSIC2SD065A20ALittelfuse650V/20A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065A20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.89 грн
10+ 686.95 грн
100+ 497.45 грн
250+ 476.81 грн
500+ 438.85 грн
1000+ 395.57 грн
5000+ 394.23 грн
LSIC2SD065A20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.61 грн
10+ 604.41 грн
100+ 503.7 грн
500+ 417.09 грн
LSIC2SD065C06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065C06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 18.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
LSIC2SD065C06ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD065C08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.99 грн
10+ 245.84 грн
100+ 198.88 грн
500+ 165.9 грн
1000+ 142.05 грн
LSIC2SD065C08ALittelfuse650V/8A SiC SBD TO252-2L AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065C08ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товар відсутній
LSIC2SD065C08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065C08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
LSIC2SD065C08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065C10ALittelfuseGEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 10 A
товар відсутній
LSIC2SD065C10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065C10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
LSIC2SD065C10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065C16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
LSIC2SD065C16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD065C16ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD065C16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065C20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065C20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
LSIC2SD065C20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-252-2L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065C20ALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
LSIC2SD065D06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065D06ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD065D06ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SBD TO263-2LAEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.48 грн
10+ 227.45 грн
100+ 159.82 грн
250+ 151.17 грн
500+ 141.84 грн
800+ 121.2 грн
2400+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD065D06ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065D08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065D08ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD065D08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.29 грн
10+ 281.82 грн
100+ 198.45 грн
250+ 187.13 грн
500+ 176.47 грн
800+ 149.84 грн
2400+ 141.84 грн
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.24 грн
10+ 331.09 грн
100+ 275.91 грн
LSIC2SD065D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD065D10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SIC SBD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.84 грн
10+ 401.29 грн
100+ 288.35 грн
500+ 251.06 грн
800+ 210.44 грн
4800+ 208.44 грн
LSIC2SD065D10ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065D16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD065D16ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.27 грн
10+ 445.76 грн
100+ 371.47 грн
LSIC2SD065D16ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065D16ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 70A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 54W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065D20ALittelfuseSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.61 грн
10+ 604.41 грн
100+ 503.7 грн
LSIC2SD065D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 95A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
товар відсутній
LSIC2SD065D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 95A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD065D20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SIC SBD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.77 грн
10+ 689.24 грн
100+ 500.12 грн
250+ 488.13 грн
500+ 440.85 грн
800+ 390.9 грн
2400+ 381.58 грн
LSIC2SD065D20ALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+388.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
LSIC2SD065E12CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 650V 18.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.58 грн
10+ 364.74 грн
100+ 303.93 грн
500+ 251.67 грн
LSIC2SD065E12CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32/64W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
товар відсутній
LSIC2SD065E12CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 32A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 32/64W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 6A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065E12CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065E16CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V 8A DUAL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.95 грн
10+ 540.1 грн
100+ 447.16 грн
500+ 365.42 грн
LSIC2SD065E16CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38/76W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
товар відсутній
LSIC2SD065E16CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 38/76W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065E16CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065E20CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.41 грн
10+ 598.93 грн
100+ 499.13 грн
LSIC2SD065E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
товар відсутній
LSIC2SD065E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065E20CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD065E20CCALittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60/120W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD065E40CCALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 650V/40A SIC SBD TO247-3L
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1501.8 грн
10+ 1327.94 грн
25+ 1134.09 грн
50+ 1066.83 грн
100+ 1010.22 грн
250+ 959.61 грн
450+ 861.72 грн
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD065E40CCA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 96 A, 63 nC, SOT-227B
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Kapazitive Gesamtladung: 63nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 96A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 96A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.76 грн
5+ 1393.98 грн
10+ 1337.21 грн
50+ 1150.82 грн
100+ 979.05 грн
250+ 959.2 грн
LSIC2SD065E40CCALittelfuseDiode Schottky SiC 650V 96A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC2SD065E40CCALittelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1354.28 грн
10+ 1158.66 грн
100+ 1013.43 грн
LSIC2SD065E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 650V
Power dissipation: 60/120W
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.85V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
товар відсутній
LSIC2SD120A05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120A05LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 43.3W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A
Max. forward voltage: 2.1V
товар відсутній
LSIC2SD120A05LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 43.3W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120A05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 17.5 A, 30 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
LSIC2SD120A08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220AC
товар відсутній
LSIC2SD120A08LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120A08LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 54W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120A08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 47nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24.5A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.98 грн
10+ 347.38 грн
100+ 287.61 грн
500+ 261.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD120A10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+378 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD120A10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120A10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2
Mounting: THT
Case: TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Power dissipation: 59W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
товар відсутній
LSIC2SD120A10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2
Mounting: THT
Case: TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Power dissipation: 59W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2
Mounting: THT
Case: TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Application: automotive industry
Power dissipation: 65W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
товар відсутній
LSIC2SD120A10ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2
Mounting: THT
Case: TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Application: automotive industry
Power dissipation: 65W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A10AIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2L
товар відсутній
LSIC2SD120A15LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120A15LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
LSIC2SD120A15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120A15LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A15 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 44 A, 92 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 44
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD120A15LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2
Technology: SiC
Power dissipation: 93W
Case: TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120A20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD120A20LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 140A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
товар відсутній
LSIC2SD120A20LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 140A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120A20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 145A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
товар відсутній
LSIC2SD120A20ALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 145A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120A20AIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO-220-2L
товар відсутній
LSIC2SD120A20ALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 55 A, 125 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товар відсутній
LSIC2SD120C05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
LSIC2SD120C05Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C05LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
LSIC2SD120C05LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120C05ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L
товар відсутній
LSIC2SD120C05ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 05A TO2
товар відсутній
LSIC2SD120C05ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L
товар відсутній
LSIC2SD120C08LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C08LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 24.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
LSIC2SD120C08LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD120C08Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C08ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 08A TO2
товар відсутній
LSIC2SD120C08ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L
товар відсутній
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
LSIC2SD120C10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120C10LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
LSIC2SD120C10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
LSIC2SD120C10ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2
товар відсутній
LSIC2SD120C10ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 10A TO252-2L
товар відсутній
LSIC2SD120C20LittelfuseDiode Schottky SiC 1.2KV 33A TO252
товар відсутній
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120D10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D10LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.13 грн
5+ 338.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
LSIC2SD120D10LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120D10LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
LSIC2SD120D10LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W
Technology: SiC
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD120D10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.69 грн
10+ 492.43 грн
100+ 356.94 грн
250+ 341.62 грн
500+ 301 грн
800+ 270.37 грн
LSIC2SD120D10Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
товар відсутній
LSIC2SD120D10ALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
товар відсутній
LSIC2SD120D10ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W
Technology: SiC
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Mounting: SMD
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120D10ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L
товар відсутній
LSIC2SD120D10ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD120D15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D15Littelfuse Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D15LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Manufacturer series: LSIC2SD
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 93W
Type of diode: Schottky rectifying
товар відсутній
LSIC2SD120D15LittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
LSIC2SD120D15LITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Manufacturer series: LSIC2SD
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 93W
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
LSIC2SD120D15LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.77 грн
10+ 738.26 грн
25+ 615.99 грн
50+ 596.01 грн
100+ 542.74 грн
250+ 516.1 грн
500+ 482.14 грн
LSIC2SD120D15ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L
товар відсутній
LSIC2SD120D15ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD120D20LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-263-2L SiC Schottky Diode
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+599.13 грн
50+ 513.33 грн
100+ 433.5 грн
250+ 429.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
LSIC2SD120D20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D20LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.42 грн
5+ 625.28 грн
10+ 599.13 грн
50+ 513.33 грн
100+ 433.5 грн
250+ 429.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD120D20Littelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD120D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 145A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Technology: SiC
Mounting: SMD
товар відсутній
LSIC2SD120D20ALittelfuse Inc.Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
LSIC2SD120D20ALITTELFUSECategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W
Application: automotive industry
Manufacturer series: LSIC2SD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 145A
Power dissipation: 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120D20ALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO263-2L
товар відсутній
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A x2
Max. forward voltage: 2.1V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.98 грн
4+ 259.44 грн
9+ 245.56 грн
100+ 235.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 43/86W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 5A x2
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+386.37 грн
4+ 323.3 грн
9+ 294.68 грн
100+ 283.02 грн
LSIC2SD120E10CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606 грн
10+ 546.03 грн
100+ 403.56 грн
450+ 359.61 грн
LSIC2SD120E10CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120E10CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E10CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 35 A, 30 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 30
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.11 грн
5+ 454.95 грн
10+ 431.79 грн
50+ 366.26 грн
100+ 306.07 грн
250+ 299.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120E15CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 54/108W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 8A x2
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120E15CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 54/108W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Load current: 8A x2
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E15CCLittelfuse Inc.Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24.5A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+516.79 грн
90+ 468.36 грн
300+ 453.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
LSIC2SD120E15CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.33 грн
10+ 917.46 грн
100+ 673.93 грн
450+ 600.67 грн
LSIC2SD120E20CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W
Technology: SiC
Power dissipation: 59/118W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W
Technology: SiC
Power dissipation: 59/118W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120E20CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 4V
товар відсутній
LSIC2SD120E20CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 80A
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 4V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W
Technology: SiC
Power dissipation: 93/186W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E30CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 88 A, 92 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 92
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.46 грн
5+ 1103.38 грн
10+ 1058.56 грн
50+ 942.71 грн
100+ 832.42 грн
250+ 795.28 грн
LSIC2SD120E30CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W
Technology: SiC
Power dissipation: 93/186W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2V
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Load current: 15A x2
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x15A TO247-3L
товар відсутній
LSIC2SD120E30CCALittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120E40CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 109 A, 115 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 115
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 109
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCLittelfuse Inc.Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 40A
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W
Technology: SiC
Power dissipation: 108/216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.2V
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCLITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W
Technology: SiC
Power dissipation: 108/216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCLittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3L SiC Schottky Diode
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2156.74 грн
10+ 1960.51 грн
100+ 1455.73 грн
450+ 1321.22 грн
LSIC2SD120E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCALITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3
Technology: SiC
Power dissipation: 216W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCAIXYSSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L
товар відсутній
LSIC2SD120E40CCALittelfuseSiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L
товар відсутній
LSIC2SD120N120PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/120A SIC SBD IN SOT-227
на замовлення 90 шт:
термін постачання 779-788 дні (днів)
1+8420.31 грн
LSIC2SD120N120PALittelfuseRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 240A 4-Pin SOT-227B Tube
товар відсутній
LSIC2SD120N120PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 440A
Load current: 60A x2
Type of module: diode
Max. forward voltage: 2.1V
товар відсутній
LSIC2SD120N120PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V 120A
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120N120PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 440A
Load current: 60A x2
Type of module: diode
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120N40PALittelfuse1200V/40A SiC SBD in SOT-227
товар відсутній
LSIC2SD120N40PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
товар відсутній
LSIC2SD120N40PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120N40PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 145A
Load current: 20A x2
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120N40PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/40A SIC SBD IN SOT-227
на замовлення 160 шт:
термін постачання 864-873 дні (днів)
1+3795.28 грн
10+ 3332.11 грн
LSIC2SD120N80PAIXYSDescription: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
LSIC2SD120N80PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 300A
Load current: 40A x2
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD120N80PALittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/80A SIC SBD IN SOT-227
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5840.92 грн
10+ 5153.24 грн
LSIC2SD120N80PALITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC2SD120N80PA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, 240 nC, SOT-227B
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2
Kapazitive Gesamtladung: 240
Anzahl der Pins: 4 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-227B
Diodenkonfiguration: Zweifach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
LSIC2SD120N80PALittelfuseSchottky Barrier Diode
товар відсутній
LSIC2SD120N80PALITTELFUSECategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Case: SOT227B
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Type of module: diode
Max. forward impulse current: 300A
Load current: 40A x2
Max. forward voltage: 2.1V
товар відсутній
LSIC2SD170B10LittelfuseSIC Schottky Barrier Diode
товар відсутній
LSIC2SD170B10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 72A
Power dissipation: 76W
товар відсутній
LSIC2SD170B10LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 72A
Power dissipation: 76W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD170B10LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 10A
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1157.62 грн
10+ 1026.21 грн
100+ 791.13 грн
250+ 790.47 грн
450+ 685.25 грн
LSIC2SD170B25LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 144A
Power dissipation: 147W
товар відсутній
LSIC2SD170B25LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 144A
Power dissipation: 147W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC2SD170B25LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 25A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 1219-1228 дні (днів)
1+2547.54 грн
10+ 2293.65 грн
25+ 1941.2 грн
100+ 1837.98 грн
250+ 1738.76 грн
LSIC2SD170B50LittelfuseSchottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5408.95 грн
10+ 4858.4 грн
50+ 4170.09 грн
100+ 3788.51 грн
450+ 3773.86 грн
LSIC2SD170B50LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Power dissipation: 280W
товар відсутній
LSIC2SD170B50LITTELFUSECategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2
Mounting: THT
Manufacturer series: LSIC2SD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Power dissipation: 280W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIFC949E A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIL2A0984HPBGA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIL2B1635LSI
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIL2D0782LSI01+ BGA
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIL9B0054LSILOGIG96+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR13733LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR2041LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331/H0-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331/TBSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331/TBS-X-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3331/TRSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3333LIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3333-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3333/TBSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3333/TRSLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3341/S175-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3341/S201-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3831LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR3831-PFLIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR9033/A Світлодіод d=1.9 мм, інфрачервоний, J= 2.0 mcd, кут огляду 20, SMD
товар відсутній
LSIR9033/TR3LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR9353LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR9553/TR1LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSIR9S53/TR1LIGITEK2010+ LED
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISA81064E
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064LSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064 A1LSI LOGIC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064 A2LSI04+
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064 A3LSI LOGICBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064 A4 /62042E1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.4 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1064 R:A3LSI LOGIC0630
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064/62042D1LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1064/62042D2LSI LogicEPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 (LEAD-FREE) PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CO SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSISAS1064A1LSILOGIC2004
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A2LSI
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A2LSIBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A3LSILOGIC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A3LSI06+
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A4LSILOGIC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064A4LSI06+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064ELSIbga 08+
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064ELSI08+ bga
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1064E-E1-B2/62097C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 GB/S SAS/ 62097
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1064E/62097B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1064E REV B.1 (LEAD-FREE - ROHS 6) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 SAS1064
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068 AOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068 B1 /62089B1LSI LogicEPBGA 636 /LSISAS1068 REV B.1 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068-AOLSILOGIC2005
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068/62089A1LSI LogicEPBGA 636LSISAS1068 REV B.0 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068/62089B2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068 REV B.1 (LEAD-FREE) PCI X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CON SAS1068
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSISAS1068AD
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068B0
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068BCLSILOGIC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068BOLSI
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068ELSI
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068E B1LSIBGA 09+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068E B2 /62095C2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095C2
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068E B3 /62095D2LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.3 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095D2
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068E/62095C1LSI LogicEPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLL
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISAS1068EB3LSI09+ TSSOP16
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1068EЎЎB3
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078 C1LSIBGA
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078 C2LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078BOLSILOGIC2005
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078C1LSI LOGIC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078C2LSILOGBGA 04+
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078C2LSILOG04+ BGA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISAS1078COLSILOGIC05+
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12LSILOGIC0451+N
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12 A1LSIBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12 A1LSILOGIC0451+N
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12 A1LSILOGIC0451+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12ALSI
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12A AOBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX12A/62084A2LSI LogicEPBGA 472/LSISASX12A REV A.0 (LEAD-FREE) 12-PORT 3 GB/S SAS/SATA EXPANDER
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISASX28-E1/62081B2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX28 REV A.1 (LEAD-FREE) 28-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER 62081B2
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LSISASX36LSILOGIG2007
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
LSISASX36/62067A1LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISASX36/62067A2LSI LogicEPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 (LEAD-FREE) 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36
кількість в упаковці: 40 шт
товар відсутній
LSISS1320-CALSI LogicBGA 117/RESTRICTED SALE - SELL LSISS9132 INTERPOSER CARD FIRST (CONTACT LSI LSISS1320 LSILSISS1320CL
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній