Продукція > NSB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSB-5120 | Quest Technology International Inc. | Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8 Packaging: Bulk Connector Type: Jack Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Orientation: Straight Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Termination: IDC, Color Coded Block LED Color: Does Not Contain LED Ratings: Cat5e Tab Direction: Up Part Status: Active Number of Ports: 1 Number of Rows: 1 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB-5130 | Quest Technology International Inc. | Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8 Packaging: Bulk Connector Type: Jack Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Orientation: Straight Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Termination: IDC, Color Coded Block LED Color: Does Not Contain LED Ratings: Cat5e Tab Direction: Up Contact Material: Phosphor Bronze Part Status: Active Number of Ports: 2 Number of Rows: 1 | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB-5210 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB-5220 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB-5240 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT Packaging: Bulk Color: White For Use With/Related Products: Keystone Jacks Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) Style: Surface Mount Type: Mounting Box Number of Ports: 4 Material Flammability Rating: UL94 V-0 Port Direction: Straight Part Status: Active | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB-5260 | Quest Technology International Inc. | Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB1-D3FP4G-178 | на замовлення 8400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB1010XV5T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1010XV5T5 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB1011XV6T5 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB1011XV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB12ANT3G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB12ANT3G | ON Semiconductor | Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB12ANT3G | Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB13211DW6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 | на замовлення 383930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB13ANT3G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB13ANT3G | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB16GLF2-513 | BOURNS | 0611PB | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB16GLF2-513 | BOURNS | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB1706DMW5T1 | на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | на замовлення 10035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 44880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | на замовлення 10035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1706DMW5T1G | ON | 06+ | на замовлення 1559 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB1A-8/4 | REAN | Description: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1A-8/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB1B-8/0 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB1B-8/0 | REAN | Description: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB1C-8/0 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB1C-8/0 | REAN | Description: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB2A-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB2A-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB2A-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB2A-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB2B-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB2B-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB2B-16/0 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB2B-16/0 | REAN | Description: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB2C-12/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB2C-12/4 | REAN | Description: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB3030Q0R9A3H5C-L | Unspecified | PRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB3030Q1R0A3H5C-L | Unspecified | PRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB3A-32/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB3A-32/4 | REAN | Description: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB3B-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB3B-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB3C-20/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB3C-20/4 | REAN | Description: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | MOT | SOT26/ | на замовлення 981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 | на замовлення 756000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR | на замовлення 17693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | на замовлення 5974 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSB4904DW1T2G | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB4904DW1T2G | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4A-40/4 | REAN | XLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB4A-40/4 | REAN | Description: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P tariffCode: 85369095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN | Description: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P tariffCode: 85369095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN | Patch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB4A-40/8 | REAN / Neutrik | XLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB503 STARTER | Interlight | Description: Replacement for Lucas NSB503 Sta | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB857J | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8AT-E3/81 | Vishay | Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8AT/31 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay | Rectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8ATHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3/81 | Vishay | Diode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GT-E3/45 | Vishay | Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3 | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3/81 | Vishay | Diode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8JTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-E3/81 | Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-HE3/45 | Vishay | Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-M3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3/81 | Vishay | Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHE3_B/P | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHM3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8KTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8MT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3/45 | Vishay | Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3/81 | Vishay | Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000V 125A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB8MTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | на замовлення 4468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB9435 | MOTOROLA | 00+ SOT-223 | на замовлення 8999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB9435T1 | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB9435T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 61339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSB9435T1 | ON | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSB9435T1/9435R | ON | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSB9435T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB9435T1G | onsemi | Digital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP | на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSB9435T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB9435T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSB9703 | Desco | Description: COMMON POINT GND CORD 10MM 10' | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT | на замовлення 9949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 15990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 338mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 7277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | на замовлення 9879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | на замовлення 10252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TDXV6T1G | на замовлення 10252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 15999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBA114YDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 7990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBA114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114YF3 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 6099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.21 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-1123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563 | на замовлення 15975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA115TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA115TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123EDXV6T1G | onsemi | Description: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123JDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6 | onsemi | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 164737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T1G | на замовлення 481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5 | ON | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5 | ON | SC70-6 | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 472000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123JF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 | на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA123TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBA124EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA124EDXV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 293500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47 | на замовлення 7986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA124XF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 7846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 304000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B | на замовлення 304000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6 | Rochester Electronics, LLC | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 43990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZF3 | onsemi | onsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.1 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-1123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | на замовлення 7876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 13720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | Fairchild Semiconductor | Description: NSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhm Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR | на замовлення 6964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 1223666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDP6T5G | onsemi | Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor | на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBA144WF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC113EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor | на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC113EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114BDXV6T1 | на замовлення 221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 | на замовлення 72014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1 | ON | 07+; | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 7850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 119550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 896000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 13871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 9306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 53297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EPDP6T1G | Rochester Electronics, LLC | Description: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 142970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 121799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 51382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 13680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 242000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 13390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114EPDXVT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114EPDXVT1G | onsemi | Description: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 | на замовлення 11865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 107600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT | на замовлення 5598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 83930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114TPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114XDXV6T1 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC114YDCV6T5 | на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 43997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC114YDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | Onsemi | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | Onsemi | SOT363 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | на замовлення 23960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114YDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 9485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 175947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963 | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 15790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 379710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 16243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 176000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC114YPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115EPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased RSTR XSTR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115EPDXV6T1G | onsemi | Description: SS SOT563 RSTR XSTR TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 292000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 7984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 706141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC115TPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123EDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123EF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY | на замовлення 5895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 75468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 5576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 9632 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC123JPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123TDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123TDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123TF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC123TPDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 3573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 44316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 7718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT | на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDX | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 211695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 3566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 256mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124EPDXVT5 | на замовлення 13642 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 91950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 5781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC124XPDXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 29944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 317830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 631985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 631985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 27986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 6509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T1G | на замовлення 716 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143TPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 9106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 38900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 6037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY | на замовлення 6969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 3669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 38788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1 | на замовлення 6905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON | SOT-363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 15243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | ON | 09+ | на замовлення 16018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 7995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 50332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | на замовлення 6650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT | на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 872000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T1G | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBC144EPDXV6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WDP6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144WF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WF3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBC144WPDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBC144WPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBMC096VF-25 | Texas Instruments | Description: IC CONTROLLER BURST MEM 132-PQFP | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBMC096VF-25 | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBMC096VF-33 | NS | 9048 DIP; | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
NSBMC096VF-33C | NS | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBMC096VF-33C | ?? | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
NSBP-108+ | Mini-Circuits | Signal Conditioning Lumped LC Band Stop Filter, 89 - 105 MHz | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBP-108+ | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBV-M207-10 | ABB | 7630030260230 | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBV-M253-11 | ABB | SB 90 degree Curved Elbow, Metric, Metal, Swivel M25x1.5 Thread | товар відсутній | |||||||||||||||
NSBV-M508-14 | ABB Power Electronics Inc. | Description: PA NSBVM50814 SWVL FTNG 90D M50N Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBV-P488-10 | ABB Power Electronics Inc. | Description: ABB Power Electronics Inc. NSBV- Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NSBVC096VF-25 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
NSBW1-L9FP7DA-018 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |