Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTM-120Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.120" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-120BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-120BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.120in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-130BivarPanel Mount LED Holder
товар відсутній
NTM-130Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.130" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-130BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-140BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.140in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-140Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.140" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-140BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTM-150Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.150" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-150BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-160Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.160" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.160" (4.06mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-160BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
17+ 18.76 грн
100+ 10.85 грн
1000+ 8.26 грн
2500+ 7.39 грн
10000+ 6.39 грн
25000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-160BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.160in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-170BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-170BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.170in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-170Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.170" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.170" (4.32mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-180BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.180in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-180Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.180" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-180BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-190Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.190" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-190BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-190BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.190in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-200Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.200" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-200BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.28 грн
10+ 31.09 грн
100+ 8.32 грн
1000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTM-210Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.210" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-210BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-220BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-220Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.220" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-230Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.230" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-230BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-240Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.240" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-240BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-240BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.240in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-250Bivar Inc.Description: LED MOUNT .250"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-250BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-260Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.260" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-260BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
17+ 18.76 грн
100+ 10.85 грн
1000+ 9.59 грн
10000+ 8.39 грн
25000+ 7.79 грн
50000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-270Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.270" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-270BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-280Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.280" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-280BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-290Bivar Inc.Description: LED MOUNT .290"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-290BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-300Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.300" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-300BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-310Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.310" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-310BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-320Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.320" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-320BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
15+ 20.52 грн
100+ 11.85 грн
500+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-330Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.330" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-330BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-340Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.340" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-340BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-350Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.350" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-350BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-360Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.360" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-360BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm LED Black
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
17+ 18.76 грн
100+ 11.99 грн
1000+ 10.52 грн
2500+ 8.39 грн
10000+ 7.26 грн
25000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-370Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.370" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-370BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.28 грн
10+ 31.09 грн
100+ 8.32 грн
1000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTM-380Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.380" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-380BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.06 грн
10+ 31.71 грн
100+ 8.52 грн
1000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-390Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.390" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-390BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.390in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-390BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-400Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.400" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.400" (10.16mm)
LED: T1, T1 3/4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.86 грн
13+ 21.64 грн
100+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTM-400BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.6 грн
17+ 19.07 грн
100+ 11.52 грн
1000+ 7.33 грн
2500+ 6.53 грн
10000+ 5.59 грн
25000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-410Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.410" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-410BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.06 грн
10+ 31.71 грн
100+ 8.52 грн
1000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-420BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.91 грн
16+ 19.68 грн
100+ 11.39 грн
500+ 8.92 грн
1000+ 8.39 грн
2500+ 6.79 грн
5000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-420BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.420in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-420Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.420" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-430Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.430" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-430BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.6 грн
17+ 19.07 грн
100+ 11.05 грн
1000+ 8.59 грн
2500+ 7.59 грн
10000+ 6.59 грн
25000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-440Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.440" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-440BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.440in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-440BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-450Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.450" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-450BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-460Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.460" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-460BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-480BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.85 грн
15+ 20.91 грн
100+ 12.12 грн
500+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-480Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.480" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-480BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.480in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-490Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.490" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-490BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-500BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-500Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.500" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-520BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.520in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-520Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.520" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-520BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-530Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.530" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-530BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-550Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.550" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.550" (13.97mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-550BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.55 грн
15+ 20.91 грн
100+ 12.12 грн
1000+ 7.99 грн
2500+ 7.19 грн
10000+ 6.19 грн
25000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-570Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.570" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-570BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
10+ 33.08 грн
100+ 8.92 грн
1000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-600BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-600Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.600" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.600" (15.24mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-620Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.620" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-620BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-650Bivar Inc.Description: LED MOUNT .650"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.650" (16.51mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-650BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
18+ 17.54 грн
100+ 11.92 грн
1000+ 10.32 грн
2500+ 9.39 грн
10000+ 7.99 грн
25000+ 7.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-670Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.670" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.670" (17.02mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-670BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
18+ 17.54 грн
100+ 11.92 грн
1000+ 11.72 грн
2500+ 7.19 грн
10000+ 6.06 грн
25000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-700BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.700in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-700Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.700" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-700BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-720BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-720Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.720" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-750Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.750" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.750" (19.05mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-750BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
17+ 18.76 грн
100+ 12.65 грн
1000+ 9.59 грн
2500+ 8.79 грн
10000+ 7.46 грн
25000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-770Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.770" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-770BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-800BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 20.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
товар відсутній
NTM-800Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.800" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.800" (20.32mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-800BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-820Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.820" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-820BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-850BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-850Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-870Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.870" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-870BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-900Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-900BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.49 грн
10+ 40.44 грн
100+ 10.85 грн
1000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTM1NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:1 RATIO
товар відсутній
NTM105K100FNIC ComponentsCap Film 1uF 100V PET 10%( 10 X 19mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM105K250FNIC ComponentsCap Film 1uF 250V PET 10% (11.5 X 27mm) Axial 85°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+51.08 грн
1200+ 46.67 грн
2400+ 43.43 грн
3600+ 39.5 грн
Мінімальне замовлення: 229
NTM10N02ZMOT09+ SO-8
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM10N02ZMOT
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM11210-SC900
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM1210-SC900TOKO0402X2
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Colour: natural
LED diameter: 3mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
товар відсутній
NTM1603HDBivarVertical LED Assembly,2 Lead Single Color, Green, Diffused Lens, Black PVC Alloy
товар відсутній
NTM1603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.7 грн
10+ 31.09 грн
100+ 17.85 грн
1000+ 17.11 грн
2500+ 16.85 грн
10000+ 16.65 грн
25000+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM1603HDBivar Inc.Description: LED ASSY VERT
Packaging: Tray
Current: 30mA
Color: Red
Voltage Rating: 2V
Mounting Type: Through Hole
Millicandela Rating: 30mcd
Configuration: Single
Viewing Angle: 45°
Lens Type: Diffused
Wavelength - Peak: 635nm
Part Status: Active
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3mm, T-1
товар відсутній
NTM1N05EMOT
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM1N05EMOT09+ SO-8
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM2003GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM2073D
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222AHITACHI01+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222A-T1B
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222AT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369NEC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-T1B
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-T2B
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-TBTOSHIBA02+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2603GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM2603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM2907NEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A-T1B
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A/Y15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM3003HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM3003YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM3003YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM3414AM
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3703GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товар відсутній
NTM3703GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM3703YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товар відсутній
NTM3703YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM3904
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3904/B25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906/Y25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM4NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:4 RATIO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM4NeutrikAudio Transformer 1:4 PC Pin Thru-Hole
товар відсутній
NTM4403GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM4403GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM4403YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM4403YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM4558DJRC
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM4816NR2G
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM5203GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM5203GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM5203HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM5203HDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM HER 635NM
товар відсутній
NTM5203YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM5203YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM78L09UAT2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM8050(M)-T1BNEC05+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM8050(M)-T1B-MFNEC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.5 грн
5+ 511.38 грн
10+ 451.66 грн
25+ 343.88 грн
50+ 303.91 грн
100+ 295.9 грн
500+ 243.86 грн
1000+ 228.12 грн
NTM88H055T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors TPMS 4X4 900kPa X axis
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM88H055T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товар відсутній
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H065T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товар відсутній
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.5 грн
5+ 511.38 грн
10+ 451.66 грн
25+ 343.88 грн
50+ 303.91 грн
100+ 295.9 грн
500+ 243.86 грн
1000+ 228.12 грн
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H065T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.36 грн
5+ 591.98 грн
10+ 454.83 грн
25+ 368.93 грн
NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H135ST1NXP SemiconductorsTPMS 4X4 900kPa XZ axis
товар відсутній
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.46 грн
5+ 601.94 грн
10+ 332.3 грн
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.81 грн
10+ 363.14 грн
25+ 322.81 грн
50+ 287.79 грн
100+ 280.21 грн
500+ 234.78 грн
1000+ 216.03 грн
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+243.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+243.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товар відсутній
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.46 грн
5+ 601.17 грн
10+ 461.49 грн
25+ 374.92 грн
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товар відсутній
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88J127T1NXP SemiconductorsNTM88J127T1
товар відсутній
NTM88J135ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J145T1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
на замовлення 65287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.38 грн
10+ 57.05 грн
100+ 34.36 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 25.31 грн
2500+ 23.97 грн
5000+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMC1300RMOT01+
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMC1300R2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 1110
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2ON05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
товар відсутній
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
товар відсутній
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 802
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+12.6 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
товар відсутній
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2N05ZMOT
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товар відсутній
NTMD2P01R2ON05+
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товар відсутній
NTMD2P02MOT95+ SOP
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P10MOT95+ SOP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT95+ SOP
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LONSO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LON07+ SO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 114190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1374
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
товар відсутній
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
товар відсутній
NTMD3P03ONSO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03ON07+ SO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 30V 3.05A P-Channel
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.75 грн
10+ 46.18 грн
100+ 35.29 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 30.77 грн
2500+ 28.97 грн
5000+ 27.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NTMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4184PFG
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товар відсутній
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.08 грн
15+ 51.7 грн
100+ 38.1 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
на замовлення 22502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMD4184PFR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMD4184PFR2G
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
товар відсутній
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.2 грн
10+ 54.76 грн
100+ 36.76 грн
500+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD4820NR2G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
товар відсутній
NTMD4840NR2GON08+ SOP-8
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.67 грн
10+ 45.26 грн
100+ 30.17 грн
500+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMD4840NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4840NR2GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+18.9 грн
Мінімальне замовлення: 1400
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 307102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1156
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 43322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTMD4884NFR2G
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMD4N01MOT09+ SO-8
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N01MOT
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товар відсутній
NTMD4N03DR2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ONSOP-8
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ON05+
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 31763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.43 грн
10+ 41.62 грн
100+ 28.84 грн
500+ 22.62 грн
1000+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4N03R2GonsemiMOSFET 30V 4A N-Channel
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 571-580 дні (днів)
5+63.71 грн
10+ 56.29 грн
100+ 47.55 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 22.91 грн
5000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.97 грн
5000+ 17.31 грн
12500+ 16.02 грн
25000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9A/5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+49.43 грн
239+ 49 грн
241+ 48.57 грн
306+ 36.79 грн
309+ 33.75 грн
500+ 25.96 грн
1000+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 237
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.99 грн
14+ 57.3 грн
100+ 43.93 грн
500+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.6 грн
13+ 45.9 грн
25+ 45.5 грн
50+ 43.49 грн
100+ 31.63 грн
250+ 30.09 грн
500+ 24.1 грн
1000+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM
товар відсутній
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.93 грн
500+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
на замовлення 60595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6601NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N02MOT09+ SO-8
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02ONSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02MOT
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02D2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
товар відсутній
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
товар відсутній
NTMD6N02R2MOTSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6N02R2GonsemiMOSFET NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.92 грн
10+ 60.81 грн
100+ 40.56 грн
500+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.47 грн
5000+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.65 грн
500+ 25.6 грн
1000+ 21.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD6N03MOT95+ SOP
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
товар відсутній
NTMD6N03MOT
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N0382
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1401
NTMD6N03R2ON04+
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2onsemiMOSFET 30V 6A N-Channel
товар відсутній
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2G
Код товару: 94669		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMD6N03R2GON09+
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2GON
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
товар відсутній
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 798
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.6 грн
12+ 52.07 грн
25+ 51.55 грн
100+ 43.15 грн
250+ 38.34 грн
500+ 31.93 грн
1000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMD6N03R2GON Semiconductor
на замовлення 52570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
товар відсутній
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTMD6N04R2G
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
товар відсутній
NTMD6P02ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02DR2G
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
товар відсутній
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6P02R2GON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD6P02R2GonsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+ 70.99 грн
100+ 48.01 грн
500+ 38.76 грн
1000+ 33.36 грн
2500+ 31.37 грн
5000+ 29.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 704
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMED2P01R2G
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF1N05MOT
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF1N05MOT09+ SO-8
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4708NT1G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4N02MOT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFC013NP10M5Lonsemionsemi MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товар відсутній
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
товар відсутній
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
10+ 151.29 грн
100+ 120.43 грн
500+ 95.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.05 грн
10+ 130.96 грн
100+ 91.23 грн
250+ 87.24 грн
500+ 76.58 грн
1000+ 65.06 грн
1500+ 61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.51 грн
10+ 116.54 грн
100+ 92.73 грн
500+ 73.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorPower MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.63 грн
100+ 43.26 грн
500+ 34.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
товар відсутній
NTMFD1D1N02XON SemiconductorMOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
товар відсутній
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/75A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 870µOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 126.81 грн
100+ 100.92 грн
500+ 80.14 грн
1000+ 68 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1724994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 79.84 грн
100+ 63.52 грн
500+ 50.44 грн
1000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
товар відсутній
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1722000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.99 грн
6000+ 41.7 грн
9000+ 40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 78.88 грн
100+ 53.08 грн
500+ 44.95 грн
1000+ 36.69 грн
3000+ 34.43 грн
6000+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 69.78 грн
100+ 54.3 грн
500+ 43.19 грн
1000+ 35.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.65 грн
6000+ 33.62 грн
9000+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4901NFT1G
Код товару: 91879		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
товар відсутній
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+159.12 грн
Мінімальне замовлення: 229
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 190
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
товар відсутній
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 172
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.72 грн
10+ 124.06 грн
100+ 101.22 грн
250+ 97.89 грн
500+ 94.56 грн
1000+ 90.57 грн
1500+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD4C20NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 337
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+141.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.95 грн
10+ 285.65 грн
25+ 234.41 грн
100+ 201.11 грн
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 130
NTMFD4C85NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
товар відсутній
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+205.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD4C86NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+168.79 грн
Мінімальне замовлення: 117
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 795000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+168.79 грн
Мінімальне замовлення: 117
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+151.71 грн
Мінімальне замовлення: 130
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+233.08 грн
Мінімальне замовлення: 156
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+189.75 грн
Мінімальне замовлення: 192
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
товар відсутній
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.4A/18.7A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GON SemiconductorNFET SO8FL 60V 22A 33MOHM
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 560-569 дні (днів)
1+372.15 грн
10+ 342.32 грн
100+ 264.38 грн
500+ 249.06 грн
1000+ 223.09 грн
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 81.58 грн
100+ 63.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.12 грн
3000+ 83.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
10+ 153.51 грн
100+ 122.22 грн
500+ 97.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.22 грн
10+ 170.01 грн
100+ 117.87 грн
250+ 109.21 грн
500+ 98.56 грн
1000+ 83.91 грн
1500+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.37 грн
3000+ 79.92 грн
7500+ 76.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL SO8FL DUAL
на замовлення 11981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 156.23 грн
100+ 113.87 грн
250+ 105.22 грн
500+ 95.23 грн
1000+ 81.91 грн
1500+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.69 грн
10+ 147.2 грн
100+ 117.18 грн
500+ 93.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 83.1 грн
100+ 66.18 грн
500+ 52.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.21 грн
10+ 94.2 грн
100+ 65.06 грн
500+ 54.67 грн
1000+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD6H846NLT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m
товар відсутній
NTMFRS4707NT1G
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 189W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.42 грн
10+ 219.63 грн
25+ 199.46 грн
100+ 166.48 грн
500+ 110.78 грн
1500+ 105.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.23 грн
10+ 172.73 грн
100+ 139.74 грн
500+ 116.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.51 грн
10+ 218.26 грн
100+ 155.16 грн
500+ 132.52 грн
1000+ 111.88 грн
1500+ 105.88 грн
3000+ 101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.18 грн
500+ 110.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS002P03P8ZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
товар відсутній
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET PFET SO8FL -30V 2MO
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.98 грн
10+ 184.56 грн
25+ 157.83 грн
100+ 129.86 грн
250+ 128.53 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 106.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
на замовлення 69871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.3 грн
10+ 165.93 грн
100+ 134.23 грн
500+ 111.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.29 грн
10+ 177.05 грн
100+ 144.18 грн
500+ 110.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.1 грн
3000+ 96.2 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 9719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.84 грн
10+ 121.77 грн
100+ 85.24 грн
250+ 83.24 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 66.26 грн
1500+ 63.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+ 111.06 грн
100+ 88.42 грн
500+ 70.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS005P03P8ZT1GON SemiconductorPower, Single P-Channel, SO8-FL
товар відсутній
NTMFS006N08MCON Semiconductor
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS006N08MConsemiMOSFET 80V PTNG IN PQFN8
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.05 грн
10+ 125.6 грн
100+ 86.57 грн
250+ 79.91 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 61.93 грн
3000+ 59.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.19 грн
10+ 113.07 грн
100+ 89.97 грн
500+ 71.45 грн
1000+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
на замовлення 26930 шт:
термін постачання 786-795 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 176.14 грн
100+ 123.86 грн
500+ 110.55 грн
1000+ 106.55 грн
1500+ 93.23 грн
3000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.21 грн
10+ 153.23 грн
100+ 123.14 грн
500+ 94.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
товар відсутній
NTMFS011N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 11MOHM, PQFN56
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.17 грн
10+ 743.62 грн
25+ 641.3 грн
50+ 632.64 грн
100+ 559.39 грн
250+ 554.06 грн
500+ 507.44 грн
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+567.75 грн
100+ 497.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.15 грн
10+ 661.77 грн
100+ 572.36 грн
500+ 486.79 грн
1000+ 446.5 грн
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.26 грн
10+ 567.75 грн
100+ 497.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.57 грн
10+ 73.37 грн
100+ 48.81 грн
500+ 44.62 грн
1000+ 44.48 грн
1500+ 37.56 грн
3000+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.37 грн
10+ 74.36 грн
100+ 57.86 грн
500+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+123.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 11978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.63 грн
10+ 169.33 грн
100+ 137.01 грн
500+ 114.29 грн
1000+ 97.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.8 грн
10+ 180.04 грн
100+ 147.17 грн
500+ 107.52 грн
3000+ 98.61 грн
6000+ 97.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MCON Semiconductor
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.96 грн
6000+ 94.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 15MOHM, PQFN56
на замовлення 6498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.31 грн
10+ 188.39 грн
25+ 163.15 грн
100+ 133.19 грн
250+ 132.52 грн
500+ 118.54 грн
1000+ 101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
10+ 84 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.84 грн
3000+ 42.46 грн
7500+ 40.44 грн
10500+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.25 грн
10+ 77 грн
100+ 59.87 грн
500+ 47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.93 грн
3000+ 38.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, PQFN56
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.03 грн
10+ 143.21 грн
100+ 99.22 грн
250+ 93.9 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 71.26 грн
3000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.96 грн
10+ 131.8 грн
100+ 104.87 грн
500+ 83.28 грн
1000+ 70.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
товар відсутній
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GON SemiconductorT6 60V SG HIGHER RDS-ON P
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+149.56 грн
10+ 133.61 грн
25+ 123.37 грн
100+ 101.96 грн
250+ 84.95 грн
500+ 73.19 грн
1000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
товар відсутній
NTMFS034N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 34MOHM PQFN56
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.97 грн
10+ 107.22 грн
100+ 76.58 грн
500+ 66.59 грн
1000+ 56.34 грн
3000+ 53.54 грн
6000+ 52.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.5 грн
10+ 101.97 грн
100+ 81.17 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+293.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS08N003ConsemiMOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.92 грн
10+ 418.91 грн
25+ 360.27 грн
100+ 326.31 грн
250+ 323.64 грн
500+ 303 грн
1000+ 286.35 грн
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.53 грн
10+ 470.16 грн
25+ 465.89 грн
100+ 418.11 грн
250+ 372.43 грн
500+ 344.4 грн
1000+ 321.98 грн
3000+ 321.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS08N003CON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS08N003CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 62948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.52 грн
10+ 455.96 грн
100+ 380 грн
500+ 314.66 грн
1000+ 283.19 грн
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
товар відсутній
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.14 грн
10+ 428.06 грн
100+ 360.82 грн
500+ 256.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.55 грн
10+ 451.07 грн
100+ 324.98 грн
500+ 283.02 грн
1000+ 246.4 грн
3000+ 236.41 грн
9000+ 235.08 грн
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 138W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+428.06 грн
100+ 360.82 грн
500+ 256.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 166.95 грн
25+ 136.52 грн
100+ 117.2 грн
250+ 110.55 грн
500+ 103.89 грн
1000+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorNTMFS0D4N04XMT1G
товар відсутній
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorMOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
товар відсутній
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 2065410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.49 грн
10+ 142.48 грн
100+ 115.27 грн
500+ 96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.45 грн
10+ 160.06 грн
100+ 112.54 грн
500+ 100.56 грн
1000+ 85.91 грн
1500+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 2064000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.1 грн
3000+ 82.61 грн
7500+ 79.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.08 грн
10+ 277.99 грн
25+ 241.07 грн
100+ 205.77 грн
250+ 205.11 грн
500+ 182.47 грн
1500+ 155.83 грн
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.8 грн
10+ 254.51 грн
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.63 грн
10+ 262.96 грн
100+ 230.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.49 грн
10+ 220.56 грн
25+ 181.13 грн
100+ 155.16 грн
250+ 146.51 грн
500+ 137.85 грн
1000+ 118.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.55 грн
10+ 182.28 грн
100+ 153.14 грн
500+ 129.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.02 грн
3000+ 130.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.79 грн
10+ 248.13 грн
25+ 213.1 грн
100+ 176.47 грн
250+ 173.81 грн
500+ 157.16 грн
1000+ 144.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.14 грн
500+ 129.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.78 грн
10+ 225.24 грн
100+ 182.22 грн
500+ 152 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D7N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.5 грн
10+ 313.22 грн
100+ 223.09 грн
500+ 189.79 грн
1000+ 173.81 грн
1500+ 159.82 грн
3000+ 151.83 грн
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 167.72 грн
25+ 137.18 грн
100+ 117.87 грн
250+ 110.55 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
3+114.21 грн
10+ 93.43 грн
100+ 64.4 грн
250+ 59.87 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 16494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.77 грн
10+ 225.52 грн
100+ 184.8 грн
500+ 147.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+137.78 грн
3000+ 126.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+97.85 грн
10+ 92.97 грн
25+ 92.04 грн
50+ 87.87 грн
100+ 76.46 грн
250+ 72.67 грн
500+ 68.95 грн
1000+ 63.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiMOSFET FET 25V 0.8 MOHM SO8FL
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.01 грн
10+ 169.25 грн
25+ 146.51 грн
100+ 125.2 грн
250+ 124.53 грн
500+ 115.21 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.47 грн
10+ 190.5 грн
100+ 153.89 грн
500+ 112.38 грн
1500+ 101.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D8N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.4 грн
10+ 201.41 грн
25+ 169.81 грн
100+ 141.84 грн
250+ 137.18 грн
500+ 125.86 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+212 грн
10+ 187.14 грн
25+ 185.38 грн
100+ 160.51 грн
250+ 147.18 грн
500+ 139.92 грн
1000+ 138.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.89 грн
500+ 112.38 грн
1500+ 101.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D9N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товар відсутній
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6DFN
товар відсутній
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.14 грн
10+ 150.1 грн
100+ 104.55 грн
250+ 100.56 грн
500+ 94.56 грн
1000+ 78.58 грн
1500+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.15 грн
10+ 139.38 грн
100+ 96.56 грн
250+ 89.24 грн
500+ 81.24 грн
1000+ 69.26 грн
1500+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
3+114.98 грн
10+ 93.43 грн
100+ 63.2 грн
500+ 53.54 грн
1000+ 43.69 грн
1500+ 41.09 грн
3000+ 39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.19 грн
10+ 484.83 грн
25+ 394.44 грн
100+ 283.02 грн
3000+ 257.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS10N3D2Consemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.97 грн
10+ 451.07 грн
25+ 355.61 грн
100+ 326.97 грн
250+ 307.66 грн
500+ 288.35 грн
1000+ 247.73 грн
NTMFS10N3D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.44 грн
10+ 127 грн
100+ 103.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS10N7D2Consemi / FairchildMOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.75 грн
10+ 190.69 грн
100+ 134.52 грн
500+ 119.2 грн
1000+ 101.89 грн
3000+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
на замовлення 14822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.32 грн
10+ 208.38 грн
100+ 170.78 грн
500+ 136.44 грн
1000+ 115.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS10N7D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
товар відсутній
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.65 грн
500+ 72.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+ 143.98 грн
100+ 99.89 грн
500+ 83.91 грн
1500+ 71.92 грн
3000+ 65.66 грн
9000+ 64.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.74 грн
10+ 163.29 грн
100+ 131.24 грн
500+ 101.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.94 грн
10+ 124.76 грн
25+ 112.8 грн
100+ 92.95 грн
500+ 72.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS1D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
товар відсутній
NTMFS23D9N06HLT1GON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 23.9 mW, 23 A, Single N-Channel
товар відсутній
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+160.05 грн
10+ 130.96 грн
100+ 90.57 грн
250+ 83.91 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.74 грн
10+ 167.11 грн
100+ 135.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE SO8FL
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.75 грн
10+ 185.33 грн
25+ 152.5 грн
100+ 130.52 грн
250+ 123.2 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.17 грн
10+ 153.89 грн
100+ 113.55 грн
500+ 83.94 грн
1500+ 76.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+ 176.68 грн
100+ 142 грн
500+ 109.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.55 грн
500+ 83.94 грн
1500+ 76.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 10499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.68 грн
10+ 157.76 грн
100+ 109.21 грн
250+ 101.22 грн
500+ 91.9 грн
1000+ 80.58 грн
3000+ 73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS4108N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
на замовлення 15066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4108NT1GON06+
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
на замовлення 14636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4108NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4119NT1GON2005
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT1GON06+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GON0737+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 589
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 545
NTMFS4120NON09+
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1GON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
товар відсутній
NTMFS4120NT1GON2005
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
на замовлення 131261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 683
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
на замовлення 728470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 807
NTMFS4121NT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
товар відсутній
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
товар відсутній
NTMFS4121NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
на замовлення 7228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4701NONSO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NON07+ SO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
товар відсутній
NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4701NT1GON
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4707NT1GON08+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GON2005
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
товар відсутній
NTMFS4707NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
на замовлення 46126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4707NT1GON0814+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4707NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708N
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON09+
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON0732+
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON2005 QFN
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 64433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4709NT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4709NT3G
на замовлення 13516 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4741N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4744NT1GON05+
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
на замовлення 153685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4744NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4744NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
товар відсутній
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4744NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
товар відсутній
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4821NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.27 грн
33+ 17.72 грн
50+ 16.81 грн
100+ 15.32 грн
250+ 14.47 грн
500+ 14.23 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 32
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
на замовлення 16250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4821NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.2 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4821NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4823NT1GON Semiconductor
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4823NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 173
NTMFS4825NFET1GonsemiMOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4825NFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4833NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
на замовлення 16335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 165
NTMFS4833NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NST1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 26A T/R
товар відсутній
NTMFS4833NST1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4833NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT3GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
на замовлення 11144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.07 грн
12+ 51.39 грн
25+ 50.88 грн
100+ 46.55 грн
250+ 41.73 грн
500+ 39.43 грн
1000+ 36.95 грн
3000+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMFS4833NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4834NT1GONQFN
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON0806+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4835NT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4835NT1G
Код товару: 133508		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMFS4835NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 862771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 620
NTMFS4835NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4836Nonsemionsemi
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
на замовлення 115775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 761
NTMFS4836NT1G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4836NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4836NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
товар відсутній
NTMFS4836NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4837NHT1G
Код товару: 179189		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GON Semiconductor
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4837NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4837NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4837NHT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
на замовлення 219215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4837NT1G
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 16A 5MOHM
товар відсутній
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 735321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4839NHT1G
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4839NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
товар відсутній
NTMFS4839NHT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 268110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NON09+
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
товар відсутній
NTMFS4841NHonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
товар відсутній
NTMFS4841NHG
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.17 грн
14+ 43.71 грн
25+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
на замовлення 11743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NHT1G
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm
товар відсутній
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 57A 7MOHM
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NT3GVISHAY08+ QFN-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NT3GVISHAYQFN-8 08+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
на замовлення 28468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4845NT1GON Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4845NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT1GonsemiCircular MIL Spec Backshells PROTECTIVE COVER ASSY
товар відсутній
NTMFS4845NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4846NT1GONQFN
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4846NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
на замовлення 50133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4846NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
товар відсутній
NTMFS4846NT1GON Semiconductor
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4846NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4846NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NAG
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4847NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4847NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4847NAT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NAT3GON SemiconductorMOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4847NT1G
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4847NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4849NT1GON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4849NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4849NT1G - NTMFS4849NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4849NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4849NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4851NT1G
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4851NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4851NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4851NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4852NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4852NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 510
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+45.72 грн
100+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTMFS4852NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4852NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
товар відсутній
NTMFS4852NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4852NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorPower Management IC Development Tools LOADSWITCH CURRENT SENSE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorDescription: EVAL BOARD NTMFS4854NSG
товар відсутній
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorEVALUATION BOARD TO DEMONSTRATE THE NTMFS4854NS ACCURATE, LOSSLESS CURRENT SENSING MOSFET
товар відсутній
NTMFS4854NST1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4854NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4897NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4897NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.9 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
на замовлення 23815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4898NFT3G - MOSFET,N CH,W DIODE,30V,13.2A,SO8 FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4899NFT1GON Semiconductor
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4899NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4899NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM
товар відсутній
NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 113250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+5.92 грн
1501+ 5.56 грн
3001+ 5.2 грн
39001+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4921NT1G
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4921NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
товар відсутній
NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NT1G
Код товару: 43590		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4921NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 58.5A 6.95 mOhm Single N-Channel SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4921NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
на замовлення 83020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 325
NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4922NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4923NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4923NET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4923NET1G - MOSFET, N CH, 30V, 12.7A, SO-8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTMFS4923NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4923NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 72.35 грн
100+ 60.7 грн
500+ 50.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 401
NTMFS4925NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4925NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
товар відсутній
NTMFS4925NET1GON Semiconductor
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4925NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.32 грн
1501+ 27.96 грн
3001+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4925NT1GON Semiconductor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4925NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4925NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4925NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4925NT3GON Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4925NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4925NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4925NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH
товар відсутній
NTMFS4926NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 902
NTMFS4926NET1GSanyoDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 902