Продукція > UJ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ3-AH-4-THCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 TYPEA 9POS R/A
Features: Board Lock
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 30VAC
Number of Contacts: 9
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 1500
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.77 грн
10+ 75.89 грн
25+ 72.67 грн
40+ 66.68 грн
80+ 63.65 грн
240+ 57.59 грн
480+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3-AH-4-THCUI DEVICESConn USB 3.0 Type A F 9 POS Solder RA Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
товар відсутній
UJ3-AH-4-THCUI DevicesUSB Connectors USB 3.0 type A jack 9 pin Horizontal TH
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 94.2 грн
80+ 60.27 грн
560+ 52.88 грн
1040+ 51.81 грн
2560+ 51.74 грн
5120+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB 3.0micro AB jack 10 pin Horiz SMT
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.68 грн
10+ 80.41 грн
100+ 64.4 грн
500+ 63.8 грн
1600+ 63.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DEVICESConn Micro USB 3.0 Type AB F 10 POS 0.65mm Solder RA SMD 10 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.1 Type C F 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 15µ" Finish Thickness
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.7 грн
10+ 234.95 грн
25+ 222.56 грн
50+ 204 грн
100+ 194.28 грн
250+ 170 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67
Код товару: 161243		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesUSB Connectors USB Jack 3.1 C type 24pin HZ SMT IP67
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.35 грн
10+ 242 грн
100+ 199.78 грн
250+ 175.14 грн
700+ 169.81 грн
1400+ 145.17 грн
2100+ 141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 15µ" Finish Thickness
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+182.74 грн
1400+ 150.09 грн
2100+ 144.92 грн
3500+ 131.14 грн
Мінімальне замовлення: 700
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+59.91 грн
1700+ 49.2 грн
2550+ 47.51 грн
5950+ 42.35 грн
Мінімальне замовлення: 850
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.78 грн
10+ 74.06 грн
100+ 57.67 грн
850+ 53.27 грн
1700+ 49.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 7155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.09 грн
10+ 79.77 грн
25+ 76.36 грн
50+ 70.06 грн
100+ 66.88 грн
250+ 60.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+64.87 грн
2400+ 58.3 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.42 грн
10+ 97.88 грн
25+ 93.7 грн
50+ 85.98 грн
100+ 82.07 грн
250+ 74.26 грн
500+ 67.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.42 грн
10+ 102.62 грн
100+ 76.58 грн
500+ 70.59 грн
1200+ 60.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-312-SMT-TR
Код товару: 161025		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-312-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-312-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.65 грн
10+ 106.45 грн
100+ 83.24 грн
500+ 75.92 грн
1200+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.9 грн
10+ 78.11 грн
100+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.02 грн
10+ 101.49 грн
25+ 97.17 грн
50+ 89.17 грн
100+ 85.11 грн
250+ 77.01 грн
500+ 69.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Features: Board Guide
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+119.05 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+175.21 грн
600+ 163.92 грн
900+ 147.08 грн
Мінімальне замовлення: 300
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.87 грн
25+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Flash Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Obsolete
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Features: Flash Finish Thickness, Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Obsolete
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Mid Mount (SMT), USB Receptacle
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94 грн
10+ 92.56 грн
25+ 91.11 грн
100+ 86.46 грн
250+ 78.77 грн
500+ 74.38 грн
1000+ 73.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+289.38 грн
48+ 244.49 грн
49+ 242.07 грн
100+ 218.95 грн
250+ 177.02 грн
Мінімальне замовлення: 41
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 12 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesDescription: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.79 грн
10+ 185.21 грн
25+ 175.42 грн
50+ 160.8 грн
100+ 153.13 грн
250+ 133.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.71 грн
10+ 227.02 грн
25+ 224.78 грн
100+ 203.31 грн
250+ 164.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-G-SMT-TR-67
Код товару: 183509		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1, Gen 2, C type, 24 pin, gold flash, horizontal, SMT, T&R, IP67
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.92 грн
10+ 226.68 грн
100+ 186.46 грн
250+ 163.82 грн
500+ 162.49 грн
900+ 141.84 грн
1800+ 125.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesDescription: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1050+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 1050
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.57 грн
10+ 104.79 грн
25+ 103.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 19320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.07 грн
10+ 95.73 грн
100+ 81.91 грн
250+ 80.58 грн
500+ 75.25 грн
1050+ 59.8 грн
4200+ 59.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.35 грн
10+ 150.1 грн
100+ 119.87 грн
250+ 106.55 грн
500+ 95.23 грн
800+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TR
Код товару: 139296		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.18 грн
1600+ 91.48 грн
2400+ 88.21 грн
5600+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Features: Board Guide
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 18225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 148.38 грн
25+ 140.48 грн
50+ 128.78 грн
100+ 122.64 грн
250+ 107.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CV-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: I/C Interface
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H1-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
3000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 117.79 грн
25+ 112.79 грн
50+ 103.51 грн
100+ 98.8 грн
250+ 89.39 грн
500+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
900+ 69.92 грн
2700+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+86.34 грн
1800+ 70.92 грн
Мінімальне замовлення: 900
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H2-SMT-TR
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 1800
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
10+ 114.94 грн
25+ 110.05 грн
50+ 100.98 грн
100+ 96.39 грн
250+ 87.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 117.79 грн
25+ 112.79 грн
50+ 103.51 грн
100+ 98.8 грн
250+ 89.39 грн
500+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
2500+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.64 грн
10+ 134.64 грн
25+ 128.91 грн
50+ 118.29 грн
100+ 112.92 грн
250+ 102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.59 грн
10+ 135.55 грн
100+ 111.88 грн
250+ 101.89 грн
500+ 93.23 грн
800+ 79.91 грн
2400+ 74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
3000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 117.79 грн
25+ 112.79 грн
50+ 103.51 грн
100+ 98.8 грн
250+ 89.39 грн
500+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-L2-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-MSMT-TR
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
2500+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 117.79 грн
25+ 112.79 грн
50+ 103.51 грн
100+ 98.8 грн
250+ 89.39 грн
500+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.62 грн
10+ 117.94 грн
100+ 97.89 грн
250+ 88.57 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
3000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 117.79 грн
25+ 112.79 грн
50+ 103.51 грн
100+ 98.8 грн
250+ 89.39 грн
500+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.78 грн
10+ 243.83 грн
25+ 230.97 грн
50+ 211.72 грн
100+ 201.63 грн
250+ 176.43 грн
500+ 168.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DEVICESUJ32-C-H-G-SMT-TR-68
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.9 грн
10+ 242 грн
100+ 200.45 грн
250+ 175.14 грн
500+ 170.48 грн
1000+ 145.17 грн
3000+ 135.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+314.65 грн
10+ 281.82 грн
100+ 216.43 грн
250+ 189.13 грн
500+ 183.13 грн
1000+ 156.49 грн
2500+ 145.84 грн
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder ST SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.01 грн
10+ 160.82 грн
100+ 133.85 грн
300+ 116.54 грн
600+ 113.21 грн
1050+ 96.56 грн
2550+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.66 грн
10+ 171.76 грн
25+ 162.68 грн
50+ 149.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+157.15 грн
Мінімальне замовлення: 150
UJ33BR133AL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ3507A
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360094
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360135
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360150
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360166ICSSSOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360262
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360510
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360608
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360738
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360820
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361098
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361154
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361217
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ3C065030B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1566.28 грн
25+ 1447.41 грн
100+ 1233.31 грн
250+ 1062.83 грн
800+ 950.29 грн
2400+ 928.98 грн
4800+ 928.31 грн
UJ3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 242
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1384.27 грн
50+ 1185.5 грн
100+ 1002.1 грн
250+ 982.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3030.9 грн
UJ3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.67 грн
10+ 1058.7 грн
100+ 915.66 грн
UJ3C065030B3QorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1477.71 грн
25+ 1284.29 грн
100+ 968.27 грн
250+ 819.1 грн
500+ 775.81 грн
2400+ 761.16 грн
4800+ 737.19 грн
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2525.75 грн
UJ3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1506.79 грн
5+ 1445.53 грн
10+ 1384.27 грн
50+ 1185.5 грн
100+ 1002.1 грн
250+ 982.25 грн
UJ3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+861.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2579.09 грн
2+ 2352.13 грн
10+ 2259.19 грн
30+ 2179.27 грн
UJ3C065030K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.83 грн
30+ 974.44 грн
120+ 917.12 грн
510+ 779.99 грн
UJ3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2149.24 грн
2+ 1887.51 грн
10+ 1882.66 грн
UJ3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1458.23 грн
5+ 1373.07 грн
10+ 1287.16 грн
50+ 1115.44 грн
100+ 956 грн
250+ 809.37 грн
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET P-CH SiC 650V 85A Tube
товар відсутній
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.89 грн
UJ3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1389.14 грн
25+ 1319.52 грн
100+ 994.24 грн
250+ 862.39 грн
600+ 837.08 грн
3000+ 827.76 грн
5400+ 815.11 грн
UJ3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1476.16 грн
5+ 1336.46 грн
10+ 1196.02 грн
50+ 1077.98 грн
100+ 964.97 грн
250+ 931.03 грн
UJ3C065030T3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1737.98 грн
25+ 1456.6 грн
100+ 1116.77 грн
250+ 968.27 грн
500+ 819.1 грн
1000+ 775.81 грн
5000+ 737.19 грн
UJ3C065030T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2624.81 грн
2+ 2393.62 грн
10+ 2293.32 грн
50+ 2215.9 грн
UJ3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.81 грн
10+ 1030.19 грн
100+ 890.99 грн
500+ 757.77 грн
UJ3C065030T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2187.34 грн
2+ 1920.81 грн
UJ3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1566.28 грн
10+ 1419.08 грн
50+ 1233.31 грн
100+ 1041.52 грн
500+ 930.98 грн
1000+ 927.65 грн
UJ3C065080B3QORVODescription: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+451.96 грн
50+ 391.93 грн
100+ 335.53 грн
250+ 284.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1140.29 грн
2+ 949.15 грн
3+ 864.05 грн
UJ3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+313.41 грн
1600+ 271.62 грн
2400+ 254.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.24 грн
UJ3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.19 грн
25+ 569.77 грн
250+ 410.88 грн
800+ 327.64 грн
2400+ 326.97 грн
UJ3C065080B3QORVODescription: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.04 грн
5+ 505 грн
10+ 451.96 грн
50+ 391.93 грн
100+ 335.53 грн
250+ 284.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.77 грн
10+ 410.45 грн
100+ 342.05 грн
UJ3C065080K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C065080K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
1+687.58 грн
10+ 624.15 грн
120+ 449.51 грн
510+ 391.57 грн
1020+ 359.61 грн
2520+ 352.95 грн
UJ3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.79 грн
30+ 410.54 грн
120+ 367.34 грн
510+ 304.18 грн
1020+ 273.76 грн
UJ3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.55 грн
5+ 559.54 грн
10+ 499.77 грн
50+ 433.55 грн
100+ 371.39 грн
250+ 326.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.1 грн
50+ 268.73 грн
100+ 249.01 грн
UJ3C065080T3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
UJ3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+649.93 грн
5+ 581.2 грн
10+ 511.72 грн
50+ 447.43 грн
100+ 387.4 грн
250+ 335.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1020.16 грн
2+ 892.1 грн
3+ 858.22 грн
4+ 811.61 грн
10+ 809.11 грн
50+ 781.64 грн
UJ3C065080T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.13 грн
2+ 715.88 грн
3+ 715.19 грн
4+ 676.34 грн
10+ 674.26 грн
UJ3C065080T3SQorvoMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.19 грн
25+ 569.77 грн
250+ 410.88 грн
1000+ 327.64 грн
2500+ 326.97 грн
UJ3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2316.58 грн
5+ 2180.62 грн
10+ 2044.66 грн
50+ 1772.36 грн
100+ 1518.85 грн
UJ3C120040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C120040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C120040K3SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2361.85 грн
25+ 2054.71 грн
100+ 1548.3 грн
250+ 1310.56 грн
600+ 1241.3 грн
3000+ 1240.64 грн
UJ3C120040K3SUSCiTransistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1817.89 грн
UJ3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1789.38 грн
30+ 1428.45 грн
120+ 1339.19 грн
510+ 1072.45 грн
UJ3C120040K3S
Код товару: 193437		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
UJ3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2321.45 грн
10+ 2110.62 грн
120+ 1566.95 грн
270+ 1566.28 грн
510+ 1437.75 грн
UJ3C120070K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.01 грн
30+ 752.76 грн
120+ 708.5 грн
510+ 602.57 грн
UJ3C120070K3SQorvoMOSFET 1200V/70mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.56 грн
10+ 1184.73 грн
120+ 869.05 грн
510+ 774.48 грн
1020+ 761.83 грн
UJ3C120070K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.96 грн
5+ 1069.77 грн
10+ 992.82 грн
50+ 860.86 грн
100+ 737.65 грн
250+ 624.31 грн
UJ3C120070K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.1 грн
5+ 1222.91 грн
10+ 1142.23 грн
50+ 989.19 грн
100+ 823.45 грн
250+ 799.76 грн
UJ3C120080K3SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1181.7 грн
25+ 1026.97 грн
100+ 773.82 грн
250+ 655.28 грн
600+ 620.65 грн
3000+ 608 грн
5400+ 590.02 грн
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
UJ3C120080K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1155.68 грн
5+ 1078.73 грн
10+ 1001.78 грн
50+ 868.49 грн
100+ 744.05 грн
250+ 630.08 грн
UJ3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.34 грн
30+ 552.47 грн
UJ3C120150K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.71 грн
10+ 776.55 грн
120+ 558.72 грн
510+ 486.13 грн
1020+ 440.85 грн
2520+ 432.86 грн
UJ3C120150K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.99 грн
5+ 821.75 грн
10+ 757.5 грн
50+ 643.04 грн
100+ 537.23 грн
250+ 526.35 грн
UJ3C120150K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+644.72 грн
30+ 495.38 грн
120+ 443.23 грн
UJ3C120150K3SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.6 грн
25+ 627.98 грн
100+ 484.14 грн
250+ 420.87 грн
600+ 384.91 грн
3000+ 381.58 грн
5400+ 377.59 грн
UJ3D06504TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.56 грн
10+ 120.15 грн
100+ 95.63 грн
500+ 75.94 грн
1000+ 64.44 грн
2000+ 61.21 грн
5000+ 57.95 грн
10000+ 56.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06504TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.6 грн
25+ 131.72 грн
100+ 97.23 грн
250+ 90.57 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 66.19 грн
3000+ 66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06504TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+ 143.98 грн
50+ 124.53 грн
100+ 98.56 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 67.93 грн
5000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06506TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3
товар відсутній
UJ3D06506TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 58496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.06 грн
10+ 154.48 грн
100+ 122.96 грн
500+ 97.64 грн
1000+ 82.85 грн
2000+ 78.7 грн
5000+ 74.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06506TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
товар відсутній
UJ3D06508TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.39 грн
10+ 189 грн
100+ 147.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06508TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+ 165.24 грн
100+ 133.68 грн
500+ 111.51 грн
1000+ 95.48 грн
2000+ 89.91 грн
5000+ 84.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.4 грн
10+ 215.2 грн
50+ 186.46 грн
100+ 152.5 грн
500+ 129.86 грн
1000+ 113.87 грн
2500+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.53 грн
25+ 182.27 грн
100+ 137.85 грн
250+ 127.86 грн
500+ 110.55 грн
1000+ 97.23 грн
5000+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.57 грн
25+ 147.8 грн
100+ 110.55 грн
500+ 107.88 грн
5000+ 106.55 грн
10000+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.29 грн
10+ 212.13 грн
50+ 183.8 грн
100+ 151.17 грн
500+ 128.53 грн
1000+ 111.88 грн
2500+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.03 грн
10+ 213.65 грн
100+ 165.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06510TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.03 грн
10+ 244.3 грн
50+ 211.77 грн
100+ 173.14 грн
500+ 147.17 грн
1000+ 128.53 грн
2500+ 126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.24 грн
10+ 187.09 грн
100+ 151.33 грн
500+ 126.24 грн
1000+ 108.09 грн
2000+ 101.78 грн
5000+ 96.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06512TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.99 грн
10+ 240.55 грн
100+ 183.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06512TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.19 грн
10+ 293.31 грн
100+ 208.44 грн
500+ 177.14 грн
UJ3D06512TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.41 грн
25+ 270.34 грн
100+ 203.78 грн
250+ 191.79 грн
500+ 167.15 грн
1000+ 143.84 грн
3000+ 143.18 грн
UJ3D06512TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.71 грн
10+ 246.47 грн
100+ 199.37 грн
500+ 166.31 грн
1000+ 142.41 грн
2000+ 134.09 грн
UJ3D06512TSUnited Silicon Carbide12A - 650V SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ3D06512TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.49 грн
10+ 318.58 грн
50+ 275.7 грн
100+ 226.42 грн
500+ 191.79 грн
1000+ 168.48 грн
5000+ 167.82 грн
UJ3D06516TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.78 грн
10+ 359.17 грн
100+ 255.05 грн
500+ 217.09 грн
UJ3D06516TSUnitedSiCDescription: 650V 16A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.69 грн
10+ 421.2 грн
UJ3D06516TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.22 грн
10+ 363 грн
50+ 314.99 грн
100+ 258.38 грн
500+ 219.76 грн
1000+ 192.46 грн
2500+ 189.13 грн
UJ3D06516TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.14 грн
25+ 307.86 грн
100+ 233.08 грн
250+ 215.76 грн
500+ 173.14 грн
1000+ 171.15 грн
3000+ 163.82 грн
UJ3D06520KSDUnited Silicon CarbideUJ3D06520KSD
товар відсутній
UJ3D06520KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.4 грн
10+ 333.11 грн
100+ 277.6 грн
500+ 229.87 грн
1000+ 206.88 грн
2000+ 193.85 грн
UJ3D06520KSDUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.26 грн
5+ 517.7 грн
10+ 469.14 грн
50+ 398.17 грн
100+ 332.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06520KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.52 грн
25+ 430.39 грн
100+ 313.66 грн
250+ 275.03 грн
600+ 248.39 грн
1200+ 233.08 грн
10200+ 231.75 грн
UJ3D06520TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.88 грн
25+ 347.68 грн
100+ 267.04 грн
250+ 231.08 грн
500+ 195.79 грн
1000+ 185.8 грн
UJ3D06520TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.06 грн
50+ 277.02 грн
100+ 237.45 грн
500+ 198.08 грн
1000+ 169.6 грн
2000+ 159.7 грн
UJ3D06520TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.59 грн
10+ 416.61 грн
100+ 297.01 грн
500+ 253.06 грн
1000+ 221.76 грн
2500+ 214.43 грн
5000+ 207.11 грн
UJ3D06530TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/30A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.21 грн
10+ 550.63 грн
100+ 396.23 грн
500+ 344.95 грн
1000+ 324.31 грн
2500+ 313.66 грн
UJ3D06530TSQorvo (UnitedSiC)UJ3D06530TS THT Schottky diodes
товар відсутній
UJ3D06530TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 72 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.45 грн
5+ 493.8 грн
10+ 468.4 грн
50+ 434.25 грн
100+ 331.69 грн
250+ 325.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06530TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.78 грн
25+ 477.88 грн
100+ 371.59 грн
250+ 366.93 грн
500+ 321.65 грн
1000+ 275.7 грн
3000+ 275.03 грн
UJ3D06530TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.63 грн
10+ 462.41 грн
100+ 382.81 грн
500+ 312.83 грн
1000+ 293.92 грн
UJ3D06530TSUnited Silicon CarbideUJ3D06530TS
товар відсутній
UJ3D06560KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1150.63 грн
25+ 1000.93 грн
100+ 753.84 грн
250+ 637.97 грн
600+ 604 грн
3000+ 592.68 грн
5400+ 574.04 грн
UJ3D06560KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.93 грн
10+ 826.11 грн
100+ 714.51 грн
500+ 607.68 грн
1000+ 557.39 грн
UJ3D06560KSDQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/60A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247, DUAL
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1219.77 грн
10+ 1105.09 грн
120+ 811.11 грн
510+ 724.54 грн
1020+ 711.22 грн
UJ3D1202TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 17979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.48 грн
50+ 122.92 грн
100+ 101.15 грн
500+ 80.32 грн
1000+ 68.15 грн
2000+ 64.74 грн
5000+ 61.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.15 грн
25+ 136.32 грн
100+ 105.22 грн
250+ 90.57 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 73.25 грн
5000+ 70.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.32 грн
50+ 183.03 грн
100+ 127.19 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 87.24 грн
2500+ 83.91 грн
5000+ 81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.8 грн
10+ 132.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D1202TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 160.06 грн
50+ 138.51 грн
100+ 110.55 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 75.92 грн
2500+ 74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.64 грн
50+ 187.49 грн
100+ 160.7 грн
500+ 134.06 грн
1000+ 114.79 грн
2000+ 108.08 грн
5000+ 102 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/5A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.21 грн
10+ 280.29 грн
50+ 243.07 грн
100+ 199.11 грн
500+ 169.15 грн
1000+ 147.84 грн
2500+ 145.84 грн
UJ3D1210K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
30+ 317.38 грн
120+ 272.03 грн
510+ 226.92 грн
1020+ 194.3 грн
2010+ 182.96 грн
UJ3D1210K2QorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.22 грн
25+ 351.51 грн
100+ 264.38 грн
250+ 224.42 грн
600+ 221.09 грн
3000+ 215.76 грн
5400+ 211.77 грн
UJ3D1210KSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.61 грн
5+ 452.71 грн
10+ 428.8 грн
50+ 362.1 грн
100+ 300.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210KSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.7 грн
10+ 355.1 грн
100+ 287.26 грн
500+ 239.63 грн
1000+ 205.18 грн
2000+ 193.2 грн
UJ3D1210KSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.04 грн
25+ 458.73 грн
100+ 324.98 грн
250+ 280.36 грн
600+ 245.06 грн
1200+ 233.08 грн
UJ3D1210KSDUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.89 грн
5+ 447.48 грн
10+ 425.07 грн
50+ 360.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.14 грн
10+ 383.33 грн
100+ 317.35 грн
500+ 259.33 грн
1000+ 243.66 грн
UJ3D1210KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.34 грн
25+ 465.62 грн
100+ 340.29 грн
250+ 288.35 грн
600+ 269.04 грн
3000+ 266.37 грн
5400+ 261.71 грн
UJ3D1210TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.32 грн
50+ 299.88 грн
100+ 257.04 грн
500+ 214.42 грн
1000+ 183.6 грн
2000+ 172.88 грн
UJ3D1210TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.69 грн
10+ 432.69 грн
100+ 307.66 грн
500+ 262.38 грн
UJ3D1210TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.09 грн
25+ 406.65 грн
100+ 291.01 грн
250+ 275.03 грн
500+ 233.74 грн
1000+ 207.11 грн
3000+ 206.44 грн
UJ3D1210TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.44 грн
10+ 451.84 грн
100+ 321.65 грн
500+ 273.7 грн
1000+ 240.4 грн
2500+ 232.41 грн
5000+ 224.42 грн
UJ3D1210TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.37 грн
5+ 420.59 грн
10+ 366.8 грн
50+ 320.48 грн
100+ 277.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1220K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808 грн
10+ 719.88 грн
120+ 518.1 грн
510+ 450.84 грн
1020+ 423.53 грн
2520+ 410.22 грн
UJ3D1220K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+644 грн
10+ 531.64 грн
100+ 443.04 грн
UJ3D1220K2QorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.82 грн
25+ 599.64 грн
100+ 440.85 грн
250+ 378.25 грн
600+ 353.61 грн
3000+ 346.95 грн
5400+ 337.63 грн
UJ3D1220KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.63 грн
10+ 846.24 грн
30+ 629.97 грн
120+ 614.66 грн
270+ 548.73 грн
510+ 515.43 грн
2520+ 512.1 грн
UJ3D1220KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.02 грн
30+ 574.07 грн
120+ 513.64 грн
510+ 425.32 грн
1020+ 382.79 грн
UJ3D1220KSDQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+943.19 грн
10+ 797.22 грн
30+ 576.7 грн
270+ 509.44 грн
510+ 458.16 грн
UJ3D1220KSDQorvo (UnitedSiC)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1270.27 грн
3+ 1158.34 грн
UJ3D1220KSDQorvo (UnitedSiC)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1058.56 грн
3+ 929.53 грн
UJ3D1220TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2
товар відсутній
UJ3D1250KQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1836.65 грн
10+ 1609.77 грн
30+ 1223.32 грн
270+ 1043.52 грн
UJ3D1250KQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1889.48 грн
30+ 1703.2 грн
120+ 1263.95 грн
510+ 1211.34 грн
1020+ 1188.69 грн
UJ3D1250KQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1495.47 грн
10+ 1279.84 грн
100+ 1119.41 грн
500+ 896.45 грн
UJ3D1250KUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1784.6 грн
10+ 1622.78 грн
120+ 1204.68 грн
510+ 1084.14 грн
UJ3D1250K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1873.17 грн
10+ 1703.2 грн
120+ 1263.95 грн
510+ 1211.34 грн
1020+ 1188.69 грн
UJ3D1250K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 9839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1495.47 грн
10+ 1279.84 грн
100+ 1119.41 грн
500+ 896.45 грн
UJ3D1250K2UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1837.43 грн
10+ 1629.68 грн
120+ 1216 грн
510+ 1121.44 грн
UJ3D1250ZWUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UJ3D1725K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1700V/25A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.58 грн
10+ 1262.85 грн
120+ 926.32 грн
510+ 826.43 грн
1020+ 811.78 грн
UJ3D1725K2United Silicon CarbideUJ3D1725K2
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.04 грн
52+ 742.34 грн
204+ 714.02 грн
503+ 659.48 грн
UJ3D1725K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.4 грн
30+ 802.87 грн
120+ 755.64 грн
510+ 642.66 грн
UJ3N065025K3SQorvo / UnitedSiCJFET 650V/25mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1692.14 грн
10+ 1532.42 грн
120+ 1124.77 грн
510+ 1002.9 грн
1020+ 985.58 грн
UJ3N065025K3SUnited Silicon Carbide650V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N065025K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 85
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1437.31 грн
5+ 1379.04 грн
10+ 1320.77 грн
50+ 1202.15 грн
100+ 1086.63 грн
UJ3N065025K3SQorvoDescription: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.83 грн
30+ 974.44 грн
120+ 917.12 грн
510+ 779.99 грн
UJ3N065025K3SQorvoJFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1516.56 грн
25+ 1319.52 грн
100+ 994.24 грн
250+ 841.74 грн
600+ 797.12 грн
3000+ 780.48 грн
5400+ 757.17 грн
UJ3N065080K3SQorvoDescription: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.79 грн
30+ 410.54 грн
120+ 367.34 грн
UJ3N065080K3SQorvo / UnitedSiCJFET 650V/80mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.54 грн
10+ 643.29 грн
120+ 463.49 грн
510+ 402.89 грн
1020+ 365.6 грн
2520+ 358.94 грн
UJ3N065080K3SUnited Silicon Carbide650V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N065080K3SQorvoJFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.04 грн
25+ 497.02 грн
100+ 374.92 грн
250+ 316.99 грн
600+ 300.34 грн
3000+ 294.34 грн
5400+ 285.69 грн
UJ3N065080K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.14 грн
5+ 540.86 грн
10+ 484.83 грн
50+ 420.37 грн
100+ 360.5 грн
250+ 304.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3N120035K3SQorvoJFET 1200V/35mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2256.97 грн
25+ 1844.87 грн
100+ 1503.68 грн
250+ 1283.92 грн
600+ 1269.27 грн
3000+ 1261.28 грн
5400+ 1243.97 грн
UJ3N120035K3SUnited Silicon CarbideUJ3N120035K3S
товар відсутній
UJ3N120035K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/35mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2347.09 грн
10+ 2133.59 грн
30+ 1583.59 грн
270+ 1437.75 грн
UJ3N120035K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1789.38 грн
30+ 1428.45 грн
120+ 1339.19 грн
510+ 1072.45 грн
UJ3N120035K3SUnited Silicon Carbide35mW - 1200V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N120065K3SQorvoJFET 1200V/65mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1323.1 грн
25+ 1062.97 грн
100+ 865.05 грн
250+ 771.15 грн
600+ 761.83 грн
1200+ 761.16 грн
3000+ 757.83 грн
UJ3N120065K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.33 грн
30+ 822.66 грн
120+ 774.27 грн
510+ 658.5 грн
UJ3N120065K3SUnited Silicon CarbideUJ3N120065K3S
товар відсутній
UJ3N120065K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/65mOhm SiC Planar JFET, N-ON G3, TO-247-3L
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.67 грн
10+ 1279.69 грн
120+ 938.97 грн
510+ 835.75 грн
2520+ 797.79 грн
UJ3N120070K3SUnited Silicon Carbide1200V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N120070K3SQorvoJFET 1200V/70mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1181.7 грн
25+ 1026.97 грн
100+ 773.82 грн
250+ 655.28 грн
600+ 620.65 грн
3000+ 608 грн
5400+ 590.02 грн
UJ3N120070K3SQORVODescription: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1155.68 грн
5+ 1078.73 грн
10+ 1001.78 грн
50+ 868.49 грн
100+ 744.05 грн
250+ 630.08 грн
UJ3N120070K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/70mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1317.66 грн
10+ 1193.16 грн
120+ 875.71 грн
510+ 781.14 грн
1020+ 767.16 грн
UJ3N120070K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.21 грн
30+ 758.87 грн
120+ 714.24 грн
510+ 607.44 грн
1020+ 557.17 грн