Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW 106 DKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 DBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 EKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 EBKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 FKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 GKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 106 GBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
товар відсутній
STW 106 HKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 160ERKOER-STW160 Insulated Pliers
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2311.63 грн
2+ 2185.1 грн
STW 206 NBKnitter-SwitchMustang Toggle Switches
товар відсутній
STW 206 PKnitter-SwitchSwitch Toggle ON OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 206 RKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 206 SKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW 206 TKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW-350F188PR01-04Peerless by TymphanyDescription: SPEAKER 4.86OHM 3500W TOP 81.4DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 15.000" Dia (381.00mm)
Shape: Round
Type: Subwoofer
Technology: Magnetic
Material - Cone: Paper
Material - Magnet: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 26.55Hz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 10.530" (267.45mm)
Part Status: Active
Impedance: 4.86 Ohms
Power - Rated: 2500 W
Frequency Range: 20 Hz ~ 200 Hz
Efficiency - dBA: 81.40
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Half Space Sensitivity
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31265.19 грн
5+ 27096.5 грн
STW-602CAntaira TechnologiesDescription: 2-Port Industrial RS-232/422/485
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
товар відсутній
STW-611CAntaira TechnologiesDescription: 1-port (RS-232/422/485) Industri
Packaging: Retail Package
Interface: RS-232/422/485
Type: Serial to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48912.64 грн
STW-612CICOMTECH, INC.Description: 2-PORT (RS-232/422/485) INDUSTRI
Packaging: Bulk
Interface: RS-232/422/485
Type: Ethernet to Serial
Part Status: Active
Number of Ports: 2
товар відсутній
STW0101NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 200mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 19 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 45lm (Typ)
товар відсутній
STW0201NStanley Electric CoDescription: LED MOD S-TYP WH LNR STR 3300K
Packaging: Tray
Color: White, Warm
Type: LED Module
Configuration: Linear Light Strip
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Current - Test: 100mA
Lens Type: Flat
Lumens/Watt @ Current - Test: 20 lm/W
CCT (K): 3300K
Luminous Flux @ Current/Temperature: 24lm (Typ)
товар відсутній
STW0L8PA (W33CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W35CZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 5000K(=CW) / 650-700lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W43EY8)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 4000K(=NW) / 700-750lmx640mAx5,8-6,0V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 248 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8PA (W43EZ0)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 6V / 4000K(=NW) / 700-750lmx640mAx6,0-6,2V (at Tj=85C) / Max=1000mAx6,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8SA (W33CZ240)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 24V / 5000K(=CW) / 650-700lmx160mAx24,0-24,6V (at Tj=25C) / Max=200mAx5,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0L8SA (W43EZ246)Seoul Semiconductor CO., LTD.5050 24V / 4000K(=NW) / 700-750lmx160mAx24,6-25,2V (at Tj=25C) / Max=200mAx5,0W / 120deg. / CRI>70
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STW0Q14ASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
товар відсутній
STW0Q2PASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White White 10600mcd 3.2V 100mA
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW101SEALEYDescription: SEALEY - STW101 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/4", 5-25N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.25"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 5Nm bis 25Nm
Drehmoment ft-lb: 3.67ft-lb bis 18.42ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4560.7 грн
STW1011SEALEYDescription: SEALEY - STW1011 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 7-112N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 7Nm bis 112Nm
Drehmoment ft-lb: 0.42ft-lb bis 6.92 ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 370mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3741.94 грн
STW1012SEALEYDescription: SEALEY - STW1012 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 3/8", 2-24N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.375"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 2Nm bis 24Nm
Drehmoment ft-lb: 0.12ft-lb bis 1.48ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 275mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3697.12 грн
STW102SEALEYDescription: SEALEY - STW102 - DREHMOMENTSCHLÜSSEL, 1/2", 40-210N-M
tariffCode: 82041100
productTraceability: No
Antriebsgröße - Imperial: 0.5"
rohsCompliant: NA
Drehmoment N-m: 40Nm bis 210Nm
Drehmoment ft-lb: 2.50ft-lb bis 12.92ft-lb
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 460mm
hazardous: false
Antriebsgröße - Metrisch: -
rohsPhthalatesCompliant: NA
Drehmomentschlüssel: Schlüssel
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sealey - Micrometer Torque Wrenches
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5622.99 грн
STW106GPCKnitter-SwitchSwitch Toggle Mom OFF Mom SPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3.78A; Idm: 24A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 3.78A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
STW10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.92 грн
10+ 225.15 грн
25+ 184.46 грн
100+ 158.49 грн
250+ 154.5 грн
600+ 128.53 грн
1200+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.32 грн
10+ 282.26 грн
100+ 231.25 грн
500+ 184.74 грн
STW10NA50
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NB60STTO-247
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NC70Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.2 грн
10+ 83.94 грн
27+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW10NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.45 грн
25+ 229.75 грн
100+ 171.81 грн
250+ 157.16 грн
600+ 130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.86 грн
30+ 206.42 грн
120+ 176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.43 грн
3+ 123.61 грн
10+ 100.72 грн
27+ 94.9 грн
120+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10NK60Z(транзистор)
Код товару: 76503		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.05 грн
10+ 309.39 грн
25+ 195.12 грн
100+ 181.8 грн
250+ 173.81 грн
600+ 150.5 грн
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.53 грн
30+ 254.42 грн
120+ 218.08 грн
510+ 181.92 грн
STW10NK80Z
Код товару: 2065		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 10 шт:
8 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+195 грн
10+ 182 грн
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.91 грн
10+ 236.07 грн
100+ 186.76 грн
500+ 167.87 грн
1000+ 150.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.17 грн
10+ 242.46 грн
25+ 239.2 грн
50+ 228.03 грн
100+ 131.12 грн
1000+ 121.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW1100STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
6+ 445.34 грн
10+ 434.52 грн
STW1100STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
6+ 371.12 грн
10+ 362.1 грн
STW1110STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
6+ 371.12 грн
10+ 362.1 грн
STW1110STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
6+ 445.34 грн
10+ 434.52 грн
STW1120STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW1120STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
товар відсутній
STW1130STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
6+ 445.34 грн
10+ 434.52 грн
STW1130STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; 1.8m
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
6+ 371.12 грн
10+ 362.1 грн
STW1130
Код товару: 192357		Інструмент > Антистатичні рукавички
товар відсутній
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
товар відсутній
STW1147ASE-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED
товар відсутній
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW1147ASK-TRStanley Electric CoDescription: LED WHITE DIFFUSED SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Color: White
Size / Dimension: 2.40mm L x 1.85mm W
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.5V
Lens Color: Yellow
Current - Test: 40mA
Viewing Angle: 115°
Height (Max): 0.70mm
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Obsolete
Lens Style: Round with Flat Top
Lens Size: 1.45mm Dia
товар відсутній
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW1160STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 4mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 4mm
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 4mm
товар відсутній
STW1170STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+936.79 грн
2+ 827.26 грн
4+ 753.34 грн
5+ 734.19 грн
STW1170STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: metal; black; 1.8m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: metal
Colour: black
Length of the lengthen coiled cord: 1.8m
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Kit contents: cable for wirstband; ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.66 грн
2+ 663.85 грн
4+ 627.78 грн
5+ 611.83 грн
STW11N80
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NB80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
STW11NB80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
STW11NB80
Код товару: 92821		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW11NB80
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NB80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp
товар відсутній
STW11NK100
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
товар відсутній
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+2479.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW11NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+463.05 грн
25+ 364.53 грн
100+ 284.35 грн
250+ 251.06 грн
600+ 234.41 грн
1200+ 222.42 грн
3000+ 221.09 грн
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 1.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW11NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
STW11NK100ZSTN-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+2479.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW11NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NK100Z
Код товару: 72114		STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 8,3 A
Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
товар відсутній
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW11NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.09 грн
10+ 344.55 грн
100+ 287.15 грн
500+ 237.77 грн
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+246.52 грн
3+ 214.38 грн
7+ 149.84 грн
18+ 141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.44 грн
3+ 172.03 грн
7+ 124.86 грн
18+ 117.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
на замовлення 579 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+457.61 грн
10+ 420.44 грн
25+ 308.99 грн
100+ 279.69 грн
250+ 247.73 грн
600+ 212.43 грн
STW11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+335.34 грн
40+ 296.18 грн
56+ 208.51 грн
100+ 199.06 грн
250+ 182.47 грн
600+ 168.74 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.66 грн
10+ 392.1 грн
25+ 277.7 грн
100+ 270.37 грн
250+ 211.77 грн
600+ 181.13 грн
1200+ 170.48 грн
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.29 грн
10+ 275.82 грн
25+ 194.18 грн
100+ 185.38 грн
250+ 169.93 грн
600+ 157.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+174.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW11NM80
Код товару: 73261		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.75 грн
30+ 287.21 грн
STW11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-08WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 8P DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-12HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.41 грн
24+ 11.86 грн
27+ 10.52 грн
50+ 9.21 грн
100+ 8.55 грн
250+ 7.57 грн
500+ 7.12 грн
1000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-12WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-12WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 12P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 12
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-18WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-18WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 18P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 18
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-22WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-22WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 22P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 22
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-24WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-24WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 24P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 24
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-32WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-32WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 32P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 32
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-34WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 900
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-34WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 34P DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 34
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STW12-36HGJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.049" (1.25mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Non-Gendered
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT)
Number of Rows: 2
товар відсутній
STW12-36WH-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.2A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.240" (6.10mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW12-36WV-ETJAMDescription: 1.25 MM W TO B CONNECTOR 36P DUA
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 250VAC/DC
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 36
Number of Rows: 2
Style: Board to Cable/Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Locking Ramp
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: White
Pitch - Mating: 0.049" (1.25mm)
Contact Finish - Mating: Tin
Contact Finish - Post: Tin
Contact Shape: Square
Insulation Height: 0.217" (5.51mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyamide (PA6T), Nylon 6T, Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.083" (2.10mm)
товар відсутній
STW1200STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW1200STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; blue; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: blue
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.29 грн
10+ 390.57 грн
100+ 278.36 грн
600+ 237.07 грн
1200+ 189.79 грн
5400+ 182.47 грн
10200+ 177.14 грн
STW120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.74 грн
10+ 378 грн
100+ 327.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.1 грн
10+ 376.32 грн
100+ 308.35 грн
500+ 246.34 грн
1000+ 207.76 грн
2000+ 197.37 грн
STW1220STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.68 грн
3+ 231.69 грн
4+ 228.92 грн
5+ 210.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1220STATICTECCategory: Antistatic Wirst Bands
Description: Wristband; ESD; Features: antialergic; red; Kit: ESD wirstband
Type of antistatic accessories: wristband
Version: ESD
Features of antistatic elements: antialergic
Colour: red
Kit contents: ESD wirstband
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.62 грн
3+ 288.72 грн
4+ 274.7 грн
5+ 253.06 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.46 грн
30+ 524.19 грн
120+ 469.02 грн
510+ 388.37 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1150.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
STW12N120K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+740.41 грн
10+ 625.68 грн
25+ 492.79 грн
100+ 453.5 грн
250+ 426.86 грн
600+ 400.23 грн
1200+ 359.61 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.59 грн
5+ 737.33 грн
10+ 676.07 грн
50+ 575.76 грн
100+ 483.44 грн
250+ 480.24 грн
STW12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.45 грн
10+ 620.32 грн
25+ 438.85 грн
100+ 409.55 грн
250+ 376.92 грн
600+ 342.29 грн
3000+ 331.64 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1600mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.98 грн
2+ 517.49 грн
3+ 516.79 грн
5+ 489.05 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW12N150K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1600mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+914.38 грн
2+ 644.87 грн
3+ 620.15 грн
5+ 586.86 грн
STW12N150K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.24 грн
10+ 655.16 грн
30+ 571.49 грн
120+ 518.18 грн
270+ 468.72 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.05 грн
30+ 498.99 грн
120+ 446.46 грн
510+ 369.69 грн
STW12N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW12N170K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
STW12N170K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12N170K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 505 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+795.57 грн
10+ 671.63 грн
25+ 568.04 грн
100+ 486.8 грн
250+ 478.81 грн
600+ 386.24 грн
STW12N170K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW12NA60STTO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NA60STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW12NA60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NB60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NC50
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NC60STTO-247
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товар відсутній
STW12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A
товар відсутній
STW12NK60Z-HSTMicroelectronicsMOSFET Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
товар відсутній
STW12NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.19 грн
10+ 329.45 грн
100+ 265.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.87 грн
10+ 389.04 грн
25+ 288.35 грн
100+ 247.73 грн
250+ 221.76 грн
600+ 182.47 грн
1200+ 179.8 грн
STW12NK80Z
Код товару: 33689		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності 19 шт:
9 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+132 грн
10+ 123 грн
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+291.72 грн
45+ 263.25 грн
47+ 249.78 грн
100+ 216.43 грн
250+ 177.04 грн
600+ 152.37 грн
Мінімальне замовлення: 41
STW12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189 грн
3+ 137.35 грн
8+ 104.75 грн
22+ 99.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+226.8 грн
3+ 171.16 грн
8+ 125.7 грн
22+ 119.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
30+ 303.79 грн
120+ 260.4 грн
510+ 217.22 грн
STW12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.64 грн
10+ 242.43 грн
25+ 230.01 грн
100+ 199.3 грн
250+ 163.03 грн
600+ 140.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW12NK90
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.34 грн
3+ 194.23 грн
6+ 146.37 грн
10+ 145.67 грн
16+ 138.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.52 грн
30+ 305.78 грн
120+ 262.09 грн
510+ 218.63 грн
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK90ZSTTranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.35 грн
10+ 345.88 грн
100+ 279.39 грн
500+ 244.87 грн
1000+ 193.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+435.08 грн
25+ 340.03 грн
100+ 253.06 грн
250+ 225.09 грн
600+ 192.46 грн
1200+ 181.13 грн
STW12NK90Z
Код товару: 31985		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності 23 шт:
11 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+145 грн
10+ 133 грн
STW12NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+275.21 грн
3+ 242.04 грн
6+ 175.64 грн
10+ 174.81 грн
16+ 165.65 грн
STW12NK95
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NK95ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
товар відсутній
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK95ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK95ZPB-FRE
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STW1300STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; blue; 1.8m
Kind of connector: banana 4mm plug; crocodile clip; press stud female 10mm
Cable length: 1.8m
Colour: blue
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: coiled; ESD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.35 грн
3+ 285.1 грн
5+ 276.09 грн
8+ 269.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1300STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; blue; 1.8m
Kind of connector: banana 4mm plug; crocodile clip; press stud female 10mm
Cable length: 1.8m
Colour: blue
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: coiled; ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.02 грн
3+ 355.28 грн
5+ 331.3 грн
8+ 323.81 грн
STW13009STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STW13009
Код товару: 73917		STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Uceo,V: 400 V
Ic,A: 12 А
Монтаж: THT
товар відсутній
STW13009ShindengenBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
STW13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS
товар відсутній
STW13009; біполярний; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
STW13009; биполярный; NPN; 700V; 12A; 125W; Корпус: TO-247; STM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+222.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW1310STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; Features: 2 10mm female press stud; blue
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: blue
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.35 грн
3+ 285.1 грн
5+ 276.09 грн
8+ 269.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1310STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; Features: 2 10mm female press stud; blue
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: blue
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.02 грн
3+ 355.28 грн
5+ 331.3 грн
8+ 322.98 грн
STW1320STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; black; 1.8m
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: black
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; crocodile clip; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.02 грн
3+ 355.28 грн
5+ 331.3 грн
8+ 322.98 грн
STW1320STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Coiled earth lead; ESD; black; 1.8m
Version: ESD
Type of antistatic accessories: coiled earth lead
Colour: black
Cable length: 1.8m
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; crocodile clip; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.35 грн
3+ 285.1 грн
5+ 276.09 грн
8+ 269.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1320
Код товару: 192355		Інструмент > Антистатичні рукавички
товар відсутній
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Version: coiled; ESD
Colour: black
товар відсутній
STW1330
Код товару: 192356		Інструмент > Антистатичні рукавички
товар відсутній
STW1330STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Connection cable; ESD,coiled; Features: resistor 1MΩ; black; 1.8m
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: connection cable
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of cord termination: female press stud 10mm x2
Version: coiled; ESD
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW13N60M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
STW13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
товар відсутній
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316 грн
3+ 264.29 грн
4+ 202.56 грн
11+ 191.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N80K5
Код товару: 151535		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
Монтаж: THT
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
1+132 грн
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товар відсутній
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.95 грн
10+ 270.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13N80K5
на замовлення 548 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.42 грн
25+ 255.02 грн
100+ 188.46 грн
250+ 169.15 грн
600+ 143.18 грн
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.2 грн
3+ 329.35 грн
4+ 243.07 грн
11+ 229.75 грн
STW13N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+585.8 грн
10+ 521.53 грн
100+ 375.59 грн
600+ 339.63 грн
1200+ 299.67 грн
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N95K3STMicroelectronicsSTW13N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+451.81 грн
4+ 286.35 грн
10+ 270.54 грн
STW13N95K3
Код товару: 57538		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товар відсутній
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+222.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NB60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
STW13NB60
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW13NB60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товар відсутній
STW13NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK100Z
Код товару: 38847		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW13NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.45 грн
3+ 353.08 грн
7+ 334.36 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+622.14 грн
3+ 440 грн
7+ 401.23 грн
STW13NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.96 грн
25+ 523.82 грн
100+ 438.19 грн
250+ 426.2 грн
600+ 412.88 грн
1200+ 412.21 грн
STW13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.59 грн
8+ 108.91 грн
21+ 102.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товар відсутній
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.18 грн
10+ 284.89 грн
25+ 233.74 грн
100+ 199.78 грн
250+ 190.46 грн
600+ 161.16 грн
1200+ 155.16 грн
STW13NK60ZSTN-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+139.86 грн
Мінімальне замовлення: 84
STW13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.39 грн
10+ 286.86 грн
100+ 244.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW13NK60Z
Код товару: 82405		Транзистори > IGBT
товар відсутній
STW13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+208.87 грн
3+ 178.94 грн
8+ 130.69 грн
21+ 123.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW13NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW13NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 12 Amp
товар відсутній
STW13NK80Zst10
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW13NK80Z
Код товару: 1914		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3480/115
Монтаж: THT
у наявності 18 шт:
6 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+133 грн
10+ 125 грн
STW13NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
товар відсутній
STW13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STW13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товар відсутній
STW1400STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: for earthing ESD matts to ground
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.87 грн
3+ 450.37 грн
6+ 410.38 грн
STW1400STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: for earthing ESD matts to ground
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
3+ 361.41 грн
6+ 341.99 грн
STW1410STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.87 грн
3+ 450.37 грн
6+ 410.38 грн
STW1410STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 1.8m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
3+ 361.41 грн
6+ 341.99 грн
STW1420STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 0.25m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.87 грн
3+ 450.37 грн
6+ 410.38 грн
STW1420STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Features: 2 10mm female press stud; black; 1MΩ
Version: ESD
Cable length: 0.25m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 10mm female press stud
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
3+ 361.41 грн
6+ 341.99 грн
STW1430
Код товару: 192354		Інструмент > Антистатичні рукавички
товар відсутній
STW1430STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: earthing ESD matts to ground
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: ground cord
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of cord termination: female press stud 10mm; ring terminal 5mm
Version: ESD
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+510.98 грн
3+ 452.1 грн
7+ 412.05 грн
10+ 400.39 грн
STW1430STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; Application: earthing ESD matts to ground
Cable length: 1.8m
Type of antistatic accessories: ground cord
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of cord termination: female press stud 10mm; ring terminal 5mm
Version: ESD
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
Colour: black
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.81 грн
3+ 362.8 грн
7+ 343.37 грн
10+ 333.66 грн
STW1450STATICTECPRT-STW1450 ESD Accessories
товар відсутній
STW1460STATICTECPRT-STW1460 ESD Accessories
товар відсутній
STW1480STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 5mm ring socket; four 4mm banana sockets; one 10mm male press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
2+ 454.36 грн
STW1480STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 5mm ring socket; four 4mm banana sockets; one 10mm male press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+675.92 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
STW1485STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal grounding box; ESD
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud male 10mm x6
Type of antistatic accessories: universal grounding box
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.88 грн
2+ 669.4 грн
4+ 632.64 грн
5+ 616.68 грн
STW1485STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal grounding box; ESD
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud male 10mm x6
Type of antistatic accessories: universal grounding box
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+946.65 грн
2+ 834.18 грн
4+ 759.17 грн
5+ 740.02 грн
STW1490STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 4mm banana sockets; banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
STW1490STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Ground cord; ESD; black; 1MΩ; 2.5m
Version: ESD
Cable length: 2.5m
Colour: black
Features of antistatic elements: 2 4mm banana sockets; banana plug 4mm; one 10mm female press stud
Antistatic elements application: for earthing ESD wristbands and matts
Type of antistatic accessories: ground cord
Resistance of the coiled cord: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+675.92 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
STW14N50
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NC50ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NC50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
STW14NC50ZPB
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+211.2 грн
10+ 188.62 грн
100+ 156.92 грн
500+ 142.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+127.03 грн
100+ 121.35 грн
Мінімальне замовлення: 92
STW14NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW14NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.71 грн
10+ 200.95 грн
100+ 183.77 грн
500+ 144.29 грн
1000+ 132.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW14NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.98 грн
30+ 218.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 190.69 грн
25+ 151.83 грн
100+ 137.85 грн
250+ 136.52 грн
600+ 129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW14NK50Z
Код товару: 3300		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Монтаж: THT
у наявності 41 шт:
24 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+68 грн
10+ 62.5 грн
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+211.32 грн
62+ 188.73 грн
100+ 157.01 грн
500+ 143.03 грн
Мінімальне замовлення: 56
STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.84 грн
3+ 166.84 грн
9+ 116.54 грн
23+ 110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW14NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.88 грн
9+ 97.12 грн
23+ 92.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW14NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній
STW14NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13.5A
товар відсутній
STW14NK60Z
на замовлення 199950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NM50
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW14NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW14NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STW14NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp
товар відсутній
STW14NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STW14NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
товар відсутній
STW14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
STW14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товар відсутній
STW1500STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under toes,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under toes
Colour: black; blue
Mounting: clip
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
5+ 362.1 грн
STW1500STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under toes,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under toes
Colour: black; blue
Mounting: clip
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
5+ 434.52 грн
STW150NF55STDO-35
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW150NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товар відсутній
STW150NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 120A
товар відсутній
STW1510STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Colour: black; blue
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Mounting: clip
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
5+ 362.1 грн
STW1510STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Colour: black; blue
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Mounting: clip
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
5+ 434.52 грн
STW1520STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Colour: black; blue
Mounting: clip
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.9 грн
3+ 489.27 грн
5+ 434.52 грн
STW1520STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Quantity in set/package: 1pcs.
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Colour: black; blue
Mounting: clip
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.42 грн
3+ 392.62 грн
5+ 362.1 грн
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.3m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2344.22 грн
2+ 2137.75 грн
3+ 2057.74 грн
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.3m
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1953.52 грн
2+ 1715.48 грн
3+ 1714.78 грн
STW1555STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 600mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.6m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3071.24 грн
STW1555STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 600mm; 100pcs; yellow-black
Quantity in set/package: 100pcs.
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Colour: yellow-black
Length: 0.6m
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2559.37 грн
STW1560STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 300mm; yellow-black; PRT-STW1550
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.3m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1550
Caution!: The box is empty
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW1560STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 300mm; yellow-black; PRT-STW1550
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.3m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1550
Caution!: The box is empty
товар відсутній
STW1565STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 600mm; yellow-black; PRT-STW1555
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.6m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1555
Caution!: The box is empty
товар відсутній
STW1565STATICTECCategory: Static Protection-Personal Others
Description: Bin; ESD; 600mm; yellow-black; PRT-STW1555
Type of antistatic accessories: bin
Version: ESD
Length: 0.6m
Antistatic elements application: container for self-adhesive, disposable ESD straps
Colour: yellow-black
Related items: PRT-STW1555
Caution!: The box is empty
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.1 грн
10+ 339.16 грн
100+ 262.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.57 грн
10+ 348.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товар відсутній
STW15N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.57 грн
10+ 213.67 грн
100+ 182.47 грн
250+ 181.13 грн
600+ 163.82 грн
10200+ 163.15 грн
STW15N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+402.51 грн
3+ 349.23 грн
4+ 258.88 грн
10+ 258.05 грн
11+ 243.9 грн
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.42 грн
3+ 280.25 грн
4+ 215.74 грн
10+ 215.04 грн
11+ 203.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW15N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.54 грн
10+ 350.36 грн
100+ 277.15 грн
500+ 249.03 грн
1000+ 205.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товар відсутній
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.13 грн
25+ 284.89 грн
100+ 221.09 грн
250+ 217.76 грн
600+ 195.79 грн
1200+ 190.46 грн
3000+ 165.15 грн
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW15NA50STMicroelectronicsMOSFET TO-247 N-CH 500V
товар відсутній
STW15NA50
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14.6 A
товар відсутній
STW15NB50ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товар відсутній
STW15NB50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
STW15NB50ST03+ FBGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.07 грн
10+ 193.76 грн
25+ 150.04 грн
100+ 143.39 грн
250+ 126.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW15NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.42 грн
10+ 286.86 грн
100+ 218.14 грн
500+ 183.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK50Z
Код товару: 153069		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+114.94 грн
107+ 109.8 грн
250+ 105.4 грн
500+ 97.96 грн
1000+ 87.75 грн
Мінімальне замовлення: 102
STW15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.26 грн
10+ 246.6 грн
25+ 205.11 грн
100+ 153.17 грн
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW15NK50ZSTN-MOSFET 14A 500V 160W 0.34Ω Replacement: STW15NB50 STW15NK50Z TSTW15NK50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW15NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.69 грн
30+ 256.29 грн
120+ 219.67 грн
510+ 183.25 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 31 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+591.24 грн
10+ 506.98 грн
25+ 402.89 грн
100+ 373.59 грн
600+ 316.99 грн
1200+ 305 грн
3000+ 291.68 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.36 грн
10+ 266.1 грн
25+ 256.4 грн
50+ 234.7 грн
100+ 202.66 грн
1000+ 181.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.52 грн
STW15NK90Z
Код товару: 198553		VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
у наявності 14 шт:
14 шт - склад
1+290 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.78 грн
3+ 331.94 грн
4+ 244.73 грн
11+ 231.41 грн
STW15NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+314.27 грн
41+ 287.03 грн
43+ 276.57 грн
50+ 253.16 грн
100+ 218.6 грн
1000+ 196.17 грн
Мінімальне замовлення: 38
STW15NK90Z
Код товару: 42480		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
товар відсутній
STW15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товар відсутній
STW15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товар відсутній
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товар відсутній
STW15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.24 грн
10+ 331.3 грн
100+ 276.06 грн
STW15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Type of antistatic accessories: female press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud female 10mm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.56 грн
4+ 253.89 грн
9+ 240.01 грн
10+ 233.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Type of antistatic accessories: female press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud female 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+359.48 грн
4+ 316.38 грн
9+ 288.02 грн
10+ 280.53 грн
STW160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5m 120A N-Channel
товар відсутній
STW160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товар відсутній
STW160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.45 грн
5+ 171.34 грн
10+ 158.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: crimped
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+242.94 грн
5+ 213.52 грн
10+ 189.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: clinch
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+371.28 грн
3+ 314.93 грн
8+ 297.59 грн
10+ 289.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: clinch
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.54 грн
3+ 392.45 грн
8+ 357.11 грн
10+ 347.95 грн
STW1650STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Punching tool; ESD; Kit: puncher,crimping tool
Type of antistatic accessories: punching tool
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Kit contents: crimping tool; puncher
Related items: PRT-STW1600; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1554.6 грн
2+ 1364.47 грн
STW1650STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Punching tool; ESD; Kit: puncher,crimping tool
Type of antistatic accessories: punching tool
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Kit contents: crimping tool; puncher
Related items: PRT-STW1600; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1865.52 грн
2+ 1700.34 грн
10+ 1595.75 грн
STW1660STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for female press studs
Related items: PRT-STW1600; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3673.21 грн
STW1660STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for female press studs
Related items: PRT-STW1600; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4407.85 грн
5+ 4087.05 грн
STW1670STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Related items: PRT-STW1610; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
товар відсутній
STW1670STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Related items: PRT-STW1610; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товар відсутній
STW16NA60STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW16NA60
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW16NB60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
товар відсутній
STW16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товар відсутній
STW16NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
товар відсутній
STW16NM50NST09+ SOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.02 грн
3+ 355.28 грн
8+ 322.98 грн
STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.35 грн
3+ 285.1 грн
8+ 269.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: screwed
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1186.01 грн
3+ 1081.41 грн
10+ 1014.72 грн
STW1720STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Quantity in set/package: 10pcs.
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: screwed
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.34 грн
STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: universal press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: screwed
Kind of connector: press stud female 10mm; press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: universal press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Mounting: screwed
Kind of connector: press stud female 10mm; press stud male 10mm
товар відсутній
STW1740STATICTECPRT-STW1740 ESD Accessories
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+584.49 грн
3+ 471.15 грн
6+ 445.34 грн
STW1750STATICTECPRT-STW1750 ESD Accessories
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+584.49 грн
3+ 392.9 грн
7+ 371.26 грн
STW17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
товар відсутній
STW17N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3
товар відсутній
STW18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.74 грн
30+ 144.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.11 грн
10+ 170.01 грн
25+ 119.2 грн
100+ 107.22 грн
250+ 96.56 грн
600+ 93.9 грн
1200+ 93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW18N60M2
Код товару: 155497		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.81 грн
30+ 137.95 грн
120+ 118.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.56 грн
25+ 153.93 грн
100+ 114.54 грн
250+ 105.88 грн
600+ 93.23 грн
1200+ 82.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.2 грн
30+ 186.28 грн
120+ 159.66 грн
510+ 133.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.15 грн
10+ 219.03 грн
25+ 121.87 грн
100+ 117.87 грн
250+ 113.87 грн
600+ 110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NB40STTO-247
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NB40STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 18.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
STW18NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товар відсутній
STW18NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
товар відсутній
STW18NK60Z
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NK80STTO247 941
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NK80Z
Код товару: 1659		STТранзистори > Польові N-канальні
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+90 грн
STW18NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
STW18NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 18 Amp
товар відсутній
STW18NK90
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151 грн
10+ 142.13 грн
100+ 137.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.86 грн
30+ 336.67 грн
120+ 288.58 грн
510+ 240.73 грн
STW18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
товар відсутній
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+287.83 грн
43+ 276.62 грн
75+ 268.22 грн
200+ 252.56 грн
Мінімальне замовлення: 41
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.69 грн
10+ 455.7 грн
30+ 378 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.87 грн
10+ 302.31 грн
100+ 244.55 грн
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW18NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.62 грн
25+ 409.72 грн
100+ 324.31 грн
250+ 307.66 грн
600+ 288.35 грн
1200+ 247.73 грн
STW19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товар відсутній
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM50NSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.69 грн
10+ 398.23 грн
25+ 265.04 грн
100+ 242.4 грн
250+ 225.75 грн
600+ 213.1 грн
1200+ 201.11 грн
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW19NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товар відсутній
STW2002A1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW2003V1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW2004VI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товар відсутній
STW2040STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.18 грн
10+ 117.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW2040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
STW2040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
товар відсутній
STW206NKnitter-SwitchSwitch Toggle ON ON DPDT Round Lever Solder Tag 6A 250VAC 30VDC Panel Mount with Threads
товар відсутній
STW20N50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 278mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 787 pF @ 100 V
товар відсутній
STW20N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товар відсутній
STW20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+162.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.07 грн
30+ 358.61 грн
120+ 320.86 грн
510+ 265.69 грн
1020+ 239.12 грн
2010+ 224.07 грн
STW20N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ 20 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.55 грн
25+ 399 грн
100+ 310.33 грн
250+ 273.7 грн
600+ 245.73 грн
1200+ 234.41 грн
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.76 грн
5+ 504.25 грн
10+ 443.74 грн
50+ 377.36 грн
100+ 316.32 грн
250+ 279.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 11A; Idm: 72A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.36 грн
30+ 422.71 грн
120+ 378.22 грн
510+ 313.18 грн
STW20N95DK5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 950 V, 275 mOhm typ 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET
на замовлення 593 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+597.46 грн
25+ 470.22 грн
100+ 366.26 грн
250+ 322.98 грн
600+ 290.35 грн
STW20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.96 грн
5+ 502.76 грн
10+ 425.81 грн
50+ 373.2 грн
100+ 324 грн
250+ 287.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW20N95K5
Код товару: 184909		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+335.9 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.54 грн
30+ 335.42 грн
120+ 300.1 грн
510+ 248.5 грн
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+312.8 грн
Мінімальне замовлення: 120
STW20N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A MDmesh K5
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+580.67 грн
27+ 448.39 грн
50+ 376.42 грн
100+ 343.28 грн
200+ 302.22 грн
500+ 280.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
STW20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW20NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товар відсутній
STW20NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
товар відсутній
STW20NB50
Код товару: 103431		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20NC50
Код товару: 117146		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20NC50
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NC50STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW20NK50
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NK50Z
Код товару: 2710		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
у наявності 201 шт:
159 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+120 грн
10+ 111 грн
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+273.48 грн
10+ 233.58 грн
25+ 185.8 грн
100+ 159.16 грн
250+ 154.5 грн
600+ 141.84 грн
1200+ 129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+194.53 грн
3+ 173.75 грн
8+ 128.19 грн
21+ 121.53 грн
120+ 119.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.41 грн
30+ 192.01 грн
120+ 164.58 грн
510+ 137.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.32 грн
10+ 253.99 грн
100+ 198.71 грн
500+ 147.06 грн
1000+ 133.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50Z
на замовлення 922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.43 грн
8+ 106.83 грн
21+ 101.28 грн
120+ 99.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50ZSTN-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NK50Z ; 20A; 500V; 190W; 0,23R; N-канальний; корпус: TO-247; STM
на замовлення 79 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+150.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW20NK70Z
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
STW20NK70ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 700V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Case: TO247
Mounting: THT
товар відсутній
STW20NM50
Код товару: 32074		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товар відсутній
STW20NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
товар відсутній
STW20NM50.STW20NM50FD
на замовлення 18684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW20NM50FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.96 грн
10+ 425.07 грн
100+ 339.16 грн
500+ 280.94 грн
1000+ 254.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM50FD
Код товару: 180604		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+147.93 грн
Мінімальне замовлення: 79
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товар відсутній
STW20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.17 грн
25+ 353.81 грн
100+ 294.34 грн
250+ 281.02 грн
600+ 266.37 грн
1200+ 257.05 грн
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+181.33 грн
10+ 170.18 грн
25+ 168.47 грн
50+ 160.81 грн
100+ 147.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW20NM50FDSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.67 грн
25+ 237.33 грн
100+ 226.78 грн
250+ 191.32 грн
600+ 168.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+277.9 грн
3+ 240.31 грн
6+ 177.31 грн
15+ 167.32 грн
STW20NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.29 грн
10+ 334.67 грн
25+ 253.72 грн
100+ 236.41 грн
250+ 221.09 грн
600+ 204.44 грн
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM60STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.58 грн
3+ 192.84 грн
6+ 147.75 грн
15+ 139.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+284.21 грн
46+ 254.85 грн
100+ 243.53 грн
250+ 205.45 грн
600+ 181.26 грн
Мінімальне замовлення: 42
STW20NM60
Код товару: 161796		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.28 грн
30+ 312.34 грн
120+ 279.47 грн
510+ 231.41 грн
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM60FD
Код товару: 1135		STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 244 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+485.58 грн
25+ 382.15 грн
100+ 297.01 грн
250+ 263.04 грн
600+ 236.41 грн
STW20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товар відсутній
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: EU
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Plug variant: EU
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1049.74 грн
2+ 874.81 грн
4+ 796.63 грн
5+ 795.79 грн
STW2100STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: EU
Type of antistatic accessories: earthing plug
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Plug variant: EU
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.79 грн
2+ 702.01 грн
4+ 663.85 грн
5+ 663.16 грн
STW2100UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
товар відсутній
STW2100UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
Resistance: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW2110STATICTECPRT-STW2110 ESD Accessories
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1038.99 грн
2+ 842.41 грн
4+ 796.63 грн
STW2110UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; press stud male 10mm x3
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm x3
Resistance: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW2110UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; press stud male 10mm x3
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: press stud male 10mm x3
Resistance: 1MΩ
товар відсутній
STW2130STATICTECPRT-STW2130 ESD Accessories
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1038.99 грн
2+ 842.41 грн
4+ 796.63 грн
STW2130UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; screw M5 with nut x2
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: screw M5 with nut x2
Resistance: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW2130UKSTATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Earthing plug; ESD; 1MΩ; Plug: UK; screw M5 with nut x2
Plug variant: UK
Version: ESD
Caution!: Before connecting make sure that pin terminal in the mains socket is correctly earthed
Type of antistatic accessories: earthing plug
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Kind of connector: screw M5 with nut x2
Resistance: 1MΩ
товар відсутній
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.55 грн
10+ 972.6 грн
25+ 776.48 грн
100+ 729.2 грн
250+ 662.61 грн
600+ 659.28 грн
1200+ 607.33 грн
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N150K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N150K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.41 грн
30+ 697.98 грн
120+ 656.93 грн
510+ 558.71 грн
STW21N150K5STMicroelectronicsSTW21N150K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1488.11 грн
2+ 918.16 грн
3+ 868.21 грн
STW21N50T3
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N65M5
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21N65M5
Код товару: 61395		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STW21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.01 грн
10+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.14 грн
2+ 402.34 грн
6+ 380.83 грн
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+295.23 грн
Мінімальне замовлення: 600
STW21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+715.37 грн
2+ 501.37 грн
6+ 457 грн
STW21N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
товар відсутній
STW21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
товар відсутній
STW21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товар відсутній
STW21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товар відсутній
STW21NM50N
Код товару: 57941		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Монтаж: THT
товар відсутній
STW21NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товар відсутній
STW21NM60
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товар відсутній
STW21NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
товар відсутній
STW21NM60N
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW21NM60N(1238)STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
товар відсутній
STW21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.1 грн
3+ 865.72 грн
10+ 843.52 грн
STW2200STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x2; press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1183.32 грн
3+ 1078.82 грн
10+ 1012.22 грн
STW220NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
товар відсутній
STW220NF75
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1183.32 грн
3+ 1078.82 грн
10+ 1012.22 грн
STW2210STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; banana 4mm socket x3
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: banana 4mm socket x3
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.1 грн
3+ 865.72 грн
10+ 843.52 грн
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm x3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.1 грн
3+ 865.72 грн
STW2220STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm x3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1183.32 грн
3+ 1078.82 грн
10+ 1012.22 грн
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Mounting: for wall mounting
Kind of connector: screw M5 with nut
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.86 грн
2+ 726.98 грн
4+ 687.44 грн
STW2240STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; for wall mounting
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Mounting: for wall mounting
Kind of connector: screw M5 with nut
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1028.23 грн
2+ 905.93 грн
4+ 824.93 грн
10+ 803.28 грн
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.86 грн
2+ 726.98 грн
STW2250STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; 1MΩ; 2m; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Resistance: 1MΩ
Cable length: 2m
Kind of connector: press stud male 10mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1028.23 грн
2+ 905.93 грн
4+ 824.93 грн
10+ 803.28 грн
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Version: ESD
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of connector: screw M5 with nut
Resistance: 1MΩ
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1454.49 грн
2+ 1277.07 грн
5+ 1276.38 грн
10+ 1244.47 грн
STW2260STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Grounding of cable systems; ESD; Features: copper tape 2m; 1MΩ
Version: ESD
Related items: PRT-STW41490100
Cable length: 2m
Type of antistatic accessories: Grounding of cable systems
Features of antistatic elements: copper tape 2m
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground
Kind of connector: screw M5 with nut
Resistance: 1MΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1745.39 грн
2+ 1591.43 грн
5+ 1531.65 грн
10+ 1493.36 грн
STW2270STATICTECPRT-STW2270 ESD Accessories
товар відсутній
STW2275STATICTECPRT-STW2275 ESD Accessories
товар відсутній
STW2280STATICTECPRT-STW2280 ESD Accessories
товар відсутній
STW2285STATICTECPRT-STW2285 ESD Accessories
товар відсутній
STW22N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW22N95K5STMicroelectronicsSTW22N95K5 THT N channel transistors
товар відсутній
STW22N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.77 грн
10+ 410.38 грн
100+ 341.99 грн
500+ 283.19 грн
STW22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товар відсутній
STW22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.82 грн
10+ 396.7 грн
25+ 288.35 грн
100+ 265.71 грн
250+ 205.11 грн
600+ 193.12 грн
STW23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
30+ 325.92 грн
120+ 279.34 грн
510+ 233.03 грн
STW23N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.85 грн
10+ 280.63 грн
100+ 224.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23N85K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 850V; 12.4A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 12.4A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW23N85K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW23N85K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
товар відсутній
STW23N85K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 850V; 12.4A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 12.4A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товар відсутній
STW23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
товар відсутній
STW23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товар відсутній
STW23NM60N.STW21NM60N
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
товар відсутній
STW23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
товар відсутній
STW23NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW23NM60NDST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW240N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
товар відсутній
STW240N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW240N10F7STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+167.37 грн
Мінімальне замовлення: 70
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.74 грн
10+ 280.29 грн
25+ 213.1 грн
250+ 172.48 грн
600+ 144.51 грн
1200+ 135.18 грн
3000+ 131.86 грн
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товар відсутній
STW24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.81 грн
10+ 295.83 грн
30+ 253.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+168.66 грн
Мінімальне замовлення: 70
STW24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW24N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.55 грн
10+ 169.25 грн
25+ 138.51 грн
100+ 119.2 грн
250+ 105.88 грн
600+ 98.56 грн
1200+ 85.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.29 грн
30+ 143.36 грн
120+ 122.87 грн
510+ 102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.65 грн
10+ 191.99 грн
100+ 157.63 грн
500+ 124.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.14 грн
10+ 226.47 грн
100+ 187.22 грн
250+ 175.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+155.09 грн
79+ 148.43 грн
82+ 142.78 грн
100+ 133 грн
250+ 119.41 грн
500+ 111.52 грн
Мінімальне замовлення: 76
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW24N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.61 грн
10+ 226.68 грн
25+ 179.14 грн
100+ 145.17 грн
250+ 129.19 грн
600+ 119.87 грн
1200+ 101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товар відсутній
STW24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24NK55ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4397.5 pF @ 25 V
товар відсутній
STW24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.89 грн
10+ 331.09 грн
100+ 267.84 грн
STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 168mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.53 грн
10+ 377.55 грн
100+ 269.04 грн
250+ 229.08 грн
600+ 193.12 грн
1200+ 192.46 грн
5400+ 185.13 грн
STW24NM65N
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товар відсутній
STW24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товар відсутній
STW25A60
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.63 грн
10+ 169.4 грн
100+ 137.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.51 грн
10+ 203.71 грн
25+ 173.81 грн
100+ 143.18 грн
250+ 141.18 грн
600+ 127.19 грн
1200+ 101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW25N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW25N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
STW25N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.71 грн
10+ 386.74 грн
25+ 317.65 грн
100+ 271.7 грн
250+ 257.05 грн
600+ 242.4 грн
1200+ 207.11 грн
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+217.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.78 грн
30+ 328.78 грн
120+ 281.81 грн
510+ 235.08 грн
STW25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
товар відсутній
STW25N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товар відсутній
STW25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh
товар відсутній
STW25NM50NSTMICROELETO-247 07+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM50NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM50N-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товар відсутній
STW25NM60
на замовлення 29550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NSTM
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товар відсутній
STW25NM60NST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товар відсутній
STW25NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM60N(1235)
на замовлення 15752 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW25NM60N(1235)STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM60NDSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+248.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товар відсутній
STW25NM60ND
Код товару: 118445		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.71 грн
10+ 596.58 грн
25+ 494.79 грн
100+ 429.53 грн
STW25NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM6ON
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.09 грн
10+ 187.63 грн
25+ 153.83 грн
100+ 131.86 грн
250+ 124.53 грн
600+ 111.21 грн
1200+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.18 грн
10+ 168.08 грн
100+ 135.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
товар відсутній
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товар відсутній
STW26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.87 грн
10+ 738.83 грн
100+ 555.8 грн
500+ 494.6 грн
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.66 грн
STW26NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.03 грн
10+ 741.32 грн
25+ 475.48 грн
50+ 474.15 грн
100+ 456.17 грн
250+ 432.19 грн
600+ 420.87 грн
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.77 грн
3+ 311.46 грн
4+ 242.1 грн
10+ 228.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.93 грн
10+ 726.44 грн
25+ 638.29 грн
STW26NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+447.33 грн
3+ 388.13 грн
4+ 290.51 грн
10+ 274.7 грн
STW26NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.2 грн
30+ 560.26 грн
120+ 527.3 грн
STW26NM50 (TO-247, ST)
Код товару: 130997		STТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/76
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
28 шт - склад
1+242 грн
STW26NM60STO402
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26NM60
Код товару: 40763		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STW26NM60ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW26NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
STW26NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
товар відсутній
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.45 грн
10+ 327.93 грн
25+ 287.91 грн
100+ 256.31 грн
250+ 114.14 грн
600+ 108.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTMicroelectronicsDescription: N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.76 грн
30+ 368.58 грн
120+ 329.77 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.09 грн
3+ 335.05 грн
4+ 221.28 грн
10+ 209.49 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+136.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.56 грн
10+ 486.3 грн
25+ 345.62 грн
100+ 311.66 грн
250+ 287.68 грн
600+ 241.73 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.58 грн
10+ 404.15 грн
100+ 335.42 грн
500+ 262.21 грн
1000+ 236.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+334.68 грн
36+ 326.21 грн
41+ 286.4 грн
100+ 254.97 грн
250+ 113.54 грн
600+ 107.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+502.91 грн
3+ 417.52 грн
4+ 265.54 грн
10+ 251.39 грн
STW26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26NM60N (600V, 20A)
Код товару: 42872		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STW26NM60N.STMicroelectronicsSTW26NM60N.
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+338.21 грн
37+ 323.67 грн
50+ 311.34 грн
100+ 290.04 грн
250+ 260.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
STW26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товар відсутній
STW26NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.03 грн
10+ 215.15 грн
100+ 176.3 грн
500+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
товар відсутній
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.97 грн
10+ 189.92 грн
25+ 155.83 грн
100+ 133.85 грн
250+ 122.53 грн
600+ 101.89 грн
1200+ 95.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW27N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A; 170W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW27NM60NSTMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW27NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товар відсутній
STW27NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW28N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.89 грн
25+ 248.13 грн
100+ 174.48 грн
600+ 129.19 грн
1200+ 121.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.14 грн
30+ 205.93 грн
120+ 176.52 грн
510+ 147.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
товар відсутній
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N60M2
Код товару: 123683		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW28N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.49 грн
10+ 249.66 грн
25+ 172.48 грн
100+ 147.84 грн
250+ 131.86 грн
600+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.67 грн
3+ 228.22 грн
5+ 180.36 грн
13+ 169.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.79 грн
10+ 263.44 грн
25+ 195.79 грн
100+ 169.15 грн
250+ 153.17 грн
600+ 130.52 грн
1200+ 123.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+327.2 грн
3+ 284.4 грн
5+ 216.43 грн
13+ 203.94 грн
STW28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.74 грн
30+ 208.87 грн
120+ 179.02 грн
510+ 149.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 27 Amp
товар відсутній
STW28NK60ZSTM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW28NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 25 V
товар відсутній
STW28NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+362.92 грн
Мінімальне замовлення: 33
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.69 грн
3+ 170.65 грн
7+ 131.8 грн
17+ 124.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50N
Код товару: 155180		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.39 грн
10+ 514.63 грн
25+ 316.32 грн
100+ 294.34 грн
250+ 257.72 грн
STW28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+245.63 грн
3+ 212.65 грн
7+ 158.16 грн
17+ 149.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.9 грн
30+ 394.15 грн
120+ 352.66 грн
STW28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-chanel 600 V 0.120 Ohm typ 24 A
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.27 грн
10+ 238.94 грн
100+ 207.11 грн
600+ 206.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.18 грн
10+ 359.61 грн
100+ 290.9 грн
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW28NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 14.5A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.5A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW29NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 25 V
товар відсутній
STW29NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW29NK50Z
Код товару: 40934		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STW29NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 31 Amp Zener SuperMESH
товар відсутній
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
STW29NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товар відсутній
STW3-15128-018Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
STW3-15128-064Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
STW3-15128-076Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
STW3-15128-084Amphenol AerospaceCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
STW30200CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW30200CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
товар відсутній
STW3040onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
STW3040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 160 W
товар відсутній
STW3040
Код товару: 178500		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
STW3040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast NPN power tran
товар відсутній
STW3040STTO3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30N20STMTO-247 06+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
товар відсутній
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.67 грн
5+ 427.31 грн
10+ 374.27 грн
50+ 311.46 грн
100+ 266.37 грн
250+ 261.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.8 грн
30+ 307.3 грн
120+ 274.95 грн
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 298-307 дні (днів)
1+433.52 грн
10+ 394.4 грн
25+ 293.01 грн
100+ 265.71 грн
250+ 234.41 грн
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW30N65M5
Код товару: 107383		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ 24 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.13 грн
10+ 497.02 грн
25+ 392.9 грн
100+ 360.27 грн
600+ 317.65 грн
1200+ 277.7 грн
5400+ 277.03 грн
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsSTW30N80K5 THT N channel transistors
товар відсутній
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+719.4 грн
10+ 606.6 грн
30+ 502.01 грн
120+ 456.44 грн
270+ 413.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
товар відсутній
STW30NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET
товар відсутній
STW30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товар відсутній
STW30NM50N
Код товару: 52506		Транзистори > IGBT
товар відсутній
STW30NM60D
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
товар відсутній
STW30NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товар відсутній
STW30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товар відсутній
STW30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товар відсутній
STW30NM60NST09+ SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW30NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товар відсутній
STW30NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товар відсутній
STW3100STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Portable service kit; ESD; L: 0.6m; W: 0.6m; blue (dark)
Type of antistatic accessories: portable service kit
Version: ESD
Length: 0.6m
Width: 0.6m
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; ESD wirstband; ground cord
Related items: PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW1430; PRT-STW1490; PRT-STW2200
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3936.32 грн
STW3100STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Portable service kit; ESD; L: 0.6m; W: 0.6m; blue (dark)
Type of antistatic accessories: portable service kit
Version: ESD
Length: 0.6m
Width: 0.6m
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; ESD wirstband; ground cord
Related items: PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW1430; PRT-STW1490; PRT-STW2200
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3280.27 грн
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
товар відсутній
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.52 грн
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW31N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
товар відсутній
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.65 грн
30+ 319.79 грн
120+ 286.12 грн
STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+451.39 грн
25+ 356.11 грн
100+ 277.03 грн
250+ 244.4 грн
600+ 243.73 грн
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW3311STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 26; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 26
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+641.86 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
10+ 501.95 грн
STW3311STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 26; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 26
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.88 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
10+ 418.29 грн
STW3312STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 20; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 20
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+608.69 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
10+ 501.95 грн
STW3312STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 20; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 20
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.24 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
10+ 418.29 грн
STW3313STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 16; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 16
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+641.86 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
10+ 501.95 грн
STW3313STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 60ml; ESD; blue; Size: 16; Equipment: needle
Type of tool: dosing bottles
Capacity: 60ml
Colour: blue
Standard equipment: needle
Version: ESD
Size: 16
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.88 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
10+ 418.29 грн
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.5 грн
2+ 591.02 грн
4+ 558.41 грн
10+ 544.54 грн
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 200ml; ESD; blue; Features: built-in pump
Version: ESD
Soldering equipment features: built-in pump
Colour: blue
Capacity: 0.2l
Type of tool: dosing bottles
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+834.6 грн
2+ 736.5 грн
4+ 670.1 грн
10+ 653.45 грн
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+878.52 грн
2+ 736.5 грн
4+ 670.1 грн
STW3320STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue; Features: with straw
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with straw
Colour: blue
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.1 грн
2+ 591.02 грн
4+ 558.41 грн
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+930.52 грн
2+ 820.35 грн
4+ 746.68 грн
10+ 727.53 грн
STW3323STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 500ml; ESD; blue; Features: with spray
Capacity: 0.5l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Soldering equipment features: with spray
Colour: blue
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.43 грн
2+ 658.3 грн
4+ 622.23 грн
10+ 606.28 грн
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+878.52 грн
2+ 736.5 грн
4+ 670.1 грн
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottles; 250ml; ESD; blue
Capacity: 0.25l
Type of tool: dosing bottles
Version: ESD
Colour: blue
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.1 грн
2+ 591.02 грн
4+ 558.41 грн
STW333BWST07+ TSOP32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW333BWSTTSOP32 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW33N20
на замовлення 24109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW33N20STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STW33N20(микросхема TO-247)
Код товару: 57271		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
товар відсутній
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.35 грн
30+ 290.49 грн
120+ 248.99 грн
510+ 207.7 грн
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.72 грн
3+ 278.86 грн
8+ 263.6 грн
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+465.26 грн
3+ 347.5 грн
8+ 316.32 грн
100+ 308.83 грн
STW33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.45 грн
30+ 260.2 грн
120+ 223.02 грн
510+ 186.04 грн
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.07 грн
10+ 323.47 грн
30+ 264.45 грн
120+ 211.57 грн
510+ 164.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.59 грн
10+ 328.54 грн
25+ 252.39 грн
100+ 216.43 грн
250+ 191.79 грн
600+ 163.82 грн
1200+ 154.5 грн
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW33N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.09 грн
10+ 354.58 грн
100+ 249.73 грн
600+ 217.09 грн
1200+ 175.14 грн
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товар відсутній
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товар відсутній
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+160.01 грн
15+ 39.81 грн
100+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4